[发明专利]模拟变温变压吸附器的方法及系统有效
申请号: | 201910455355.2 | 申请日: | 2019-05-28 |
公开(公告)号: | CN110046474B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 司文学;章莉;陈贵娥;蒋国瑜;郑红梅 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G06F30/28;G06F113/08;G06F119/14;G06F119/08 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 孙宝海;袁礼君 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模拟 变压 吸附 方法 系统 | ||
1.一种模拟变温变压吸附器的方法,所述变温变压吸附器用于通过吸附剂吸附的方式对包含吸附质的气体进行净化,所述净化包括依次循环进行的多个过程,所述方法用于在任一过程中的多个模拟计算节点处对所述变温变压吸附器的运行状态进行模拟,其特征在于,所述方法包括:
输入虚拟的气体的边界条件;
对所述变温变压吸附器和虚拟的气体进行初始化设置;
根据当前模拟计算节点所处的过程进行模拟计算;
在完成当前模拟计算节点的模拟计算后,根据目前所处的过程判断下一个模拟计算节点的位置,并向下一个模拟计算节点传递虚拟的气体的特征信息;
进入下一个模拟计算节点并判断是否进入下一个过程,若是则将下一个过程作为当前模拟计算节点所处的过程并重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件,否则直接重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件;以及
输出模拟计算结果。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述变温变压吸附器用于改良西门子法生产多晶硅,所述依次循环进行的多个过程包括:吸附过程、降压过程、升温过程、降温过程和升压过程。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,其中边界条件包括:温度、压力、流量和成分组成。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,其中对所述变温变压吸附器和虚拟的气体进行初始化设置包括:
根据模拟的精度要求对吸附器内的吸附剂几何尺寸进行网格划分;
为所述变温变压吸附器的特征信息和虚拟的气体的特征信息赋初始值;以及
设置循环次数以及模拟计算的积分步长。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,其中网格划分的步长为0.01~0.2m,以及积分步长为0.01~5s。
6.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,其中根据当前模拟计算节点所处的过程进行模拟计算包括:
根据当前模拟计算节点所处的过程采用恒压的方法或恒容的方法进行模拟计算。
7.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,其中模拟计算结果包括:所述变温变压吸附器内沿轴向方向的温度分布、压力分布、吸附质浓度分布以及虚拟的吸附后气体的流量和其中各组分的浓度分布、再生气体的流量和气体中各组分浓度分布。
8.一种模拟变温变压吸附器的系统,其特征在于,所述系统包括:
边界条件模块,用于输入虚拟的气体的边界条件;
初始化模块,用于对所述变温变压吸附器和虚拟的气体进行初始化设置;
节点计算模块,用于根据当前模拟计算节点所处的过程进行模拟计算;
节点判断模块,用于在完成当前模拟计算节点的模拟计算后,根据目前所处的过程判断下一个模拟计算节点的位置,并向下一个模拟计算节点传递虚拟的气体的特征信息;
过程判断模块,用于进入下一个模拟计算节点并判断是否进入下一个过程,若是则将下一个过程作为当前模拟计算节点所处的过程并重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件,否则直接重新进入模拟计算步骤直至满足预定条件;以及
结果输出模块,用于输出模拟计算结果。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现权利要求1-7任一项所述的方法步骤。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储装置,用于存储一个或多个程序,当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行时,使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-7中任一项所述的方法步骤。
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