[发明专利]一种增强型阻隔膜及其制备方法

说明书

本发明提供一种增强型阻隔膜及其制备方法，其中，增强型阻隔膜包括基膜，于基膜上设置阻隔层，阻隔层由下而上依次为金属氧化物层、金属氧化物‑氧化硅渐变层、氧化硅层；或阻隔层由下而上依次为金属氮氧化物层、金属氮氧化物‑氮氧化硅渐变层、氮氧化硅层。本发明的增强型阻隔膜的阻隔性能优异，有效减少水气侵入。

技术领域

本发明涉及保护膜技术领域，尤其涉及一种增强型阻隔膜及其制备方法。

背景技术

专利号为201580002853.1的中国专利揭示了一种波长转换片材保护膜，该保护膜的O/Si比例控制在1.7～2.0之间，可得到优秀的水蒸气阻隔效果以及良好的光学透射率。但是，由于O/Si比例处于不饱和状态，该状态下O₂含量非常的敏感，些微之O₂波动就会影响镀膜速率，造成厚度的差异；尤其是大幅宽连续性的生产上，易造成宽度、长度均匀性上的偏差，从而导致良品率低。

发明内容

本发明提供一种生产过程稳定，提高良品率，且阻隔性能优异，有效减少水气侵入的增强型阻隔膜及其制备方法。

本发明采用的技术方案为：一种增强型阻隔膜，其包括：基膜，于基膜设置一阻隔层，所述阻隔层由下而上依次为金属氧化物层、金属氧化物-氧化硅渐变层、氧化硅层；或所述阻隔层由下而上依次为金属氮氧化物层、金属氮氧化物-氮氧化硅渐变层、氮氧化硅层。

进一步地，所述金属氧化物层为钛的氧化物层、铝的氧化物层、锌的氧化物层、或锡的氧化物层，优选为钛的氧化物层或铝的氧化物层，最优为钛的氧化物层。

进一步地，所述基膜厚度介于6um～50um之间，更优为介于6um～38um之间，最优为介于6um～25um之间。

进一步地，所述阻隔层厚度介于10nm～60nm之间。

进一步地，所述金属氧化物层及所述金属氧化物-氧化硅渐变层的厚度之和介于所述阻隔层总厚度的10％～90％之间，优选为10％～50％之间。

进一步地，所述金属氧化物-氧化硅渐变层的厚度介于所述金属氧化物层及所述金属氧化物-氧化硅渐变层厚度之和的10％～90％之间，优选为10％～50％之间。

进一步地，所述金属氮氧化物层为钛的氮氧化物层、铝的氮氧化物层、锌的氮氧化物层、或锡的氮氧化物层，优选为钛的氮氧化物层或铝的氮氧化物层，最优为钛的氮氧化物层。

进一步地，所述基膜为PET膜、尼龙膜、或OPP膜，优选为PET膜。

本发明还提供如下技术方案：

一种增强型阻隔膜的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基膜；

于基膜上采用电子束蒸镀法或感应式蒸镀法形成一阻隔层；

所述阻隔层由下而上依次为金属氧化物层、金属氧化物-氧化硅渐变层、氧化硅层；或所述阻隔层由下而上依次为金属氮氧化物层、金属氮氧化物-氮氧化硅渐变层、氮氧化硅层。

相较于现有技术，本发明的增强型阻隔膜及其制备方法通过将阻隔层设置为由下而上依次为金属氧化物层、金属氧化物-氧化硅渐变层、氧化硅层；或由下而上依次为金属氮氧化物层、金属氮氧化物-氮氧化硅渐变层、氮氧化硅层；从而使得增强型阻隔膜的阻隔性能优异，有效减少水气侵入。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但不应构成对本发明的限制。在附图中，

图1：本发明增强型阻隔膜的生产系统；

图2：本发明增强型阻隔膜一实施例的示意图；

图3：本发明增强型阻隔膜另一实施例的示意图；