[发明专利]一种晶圆级芯片封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：

提供晶圆，在所述晶圆有芯片一侧的表面形成焊垫，所述焊垫的层数为N层，N≥2，所述焊垫具有底切结构；

对所述晶圆进行高压流体冲洗，所述高压流体的压力大于等于0.2Mpa，所述焊垫的底切结构在所述高压流体的冲洗下去除，以使所述焊垫的侧面形成直立边缘；

在所述晶圆有焊垫一侧的表面以及所述焊垫的表面形成保护层，所述保护层内形成有暴露所述焊垫的开口；

在所述开口内形成焊点，所述焊点与所述焊垫电连接。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行高压流体冲洗包括：

对所述晶圆进行0.5MPa的高压流体冲洗。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行高压流体冲洗包括：

使用气流体或液流体对所述晶圆进行高压流体冲洗。

4.根据权利要求3所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，使用常温的气流体或液流体对所述晶圆进行高压流体冲洗。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行高压流体冲洗包括：

对所述晶圆进行30s至2min的高压流体冲洗。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，对所述晶圆进行高压流体冲洗包括：

将所述晶圆固定于清洗机的工作平台上，所述清洗机为能够提供高压流体的清洗机，所述晶圆有焊垫一侧的表面与所述清洗机的流体出口相对设置；

利用所述清洗机的高压流体对所述晶圆进行高压流体冲洗。

7.根据权利要求6所述的一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述清洗机为划片清洗机；

所述将所述晶圆固定于清洗机的工作平台上包括：

将所述晶圆通过贴膜的方式固定于片环中间；

将固定有所述晶圆的片环放置于所述划片清洗机的工作平台上。

8.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述结构包括：

晶圆，所述晶圆一侧的表面设置有芯片；

焊垫，位于所述晶圆有芯片一侧的表面，所述焊垫的层数为N层，N≥2，其中，所述焊垫的底切结构在高压流体的冲洗下去除，所述焊垫的侧面为经过压力大于等于0.2Mpa的高压流体冲洗形成的直立边缘；

保护层，覆盖于所述晶圆有焊垫一侧的表面以及所述焊垫的表面，所述保护层内形成有暴露所述焊垫的开口；

焊点，位于所述开口内，所述焊点与所述焊垫电连接。

9.根据权利要求8所述的一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述结构还包括：

金属种子层，所述金属种子层覆盖于所述焊垫表面；

相应的，所述焊点分别与所述金属种子层以及所述焊垫电连接。

10.根据权利要求8所述的一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊垫的厚度为0.1-0.5μm。