[发明专利]一种像素电路及相应运行方法

权利要求书

1.一种像素电路，包括：

第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(RST3)，其栅极连接到第一控制信号(Ctr1)，其漏极和源极分别连接到第一电压(V₁)和光电二极管(PD)的负极；

第二金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(RST2)，其栅极连接到第二控制信号(Ctr2)，其漏极和源极分别连接到第二电压(V₂)和光电二极管(PD)的负极；

光电二极管(PD)，其正极接地；

第三金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(TG)，其栅极连接到第三控制信号(Ctr3)，其漏极和源极分别连接到光电二极管(PD)的负极和三极管的基极；

三极管，其发射极与第五金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Amp/SF)的栅极连接，其集电极接地；

第四金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(RST1)，其栅极连接到第四控制信号(Ctr4)，其漏极和源极分别连接到第二电压(V₂)和三极管的发射极；

第五金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Amp/SF)，其漏极和源极分别连接到第二电压(V₂)和第六金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Adr/SEL)的漏极和源极之一；以及

第六金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(Adr/SEL)，其栅极连接到第五控制信号(Ctr5)，其漏极和源极中的另一作为输出端(OP)。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其中第一至第六MOSFET为n型MOSFET，其中第一至第六MOSFET的漏极连接到高电压端，其源极连接到低电压端。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其中第一电压(V₁)是复位电压，并且第二电压(V₂)是电源电压。

4.根据权利要求1所述的像素电路，其中所述三极管是PNP型双极结型晶体管(BJT)。

5.一种图像传感器，其具有根据权利要求1至2之一所述的像素电路。

6.一种用于运行根据权利要求1至4之一所述的像素电路的方法，包括下列步骤：

提供相应的第五控制信号(Ctr5)，使得第五MOSFET(Adr/SEL)导通；

提供相应的第四控制信号(Ctr4)、第二控制信号(Ctr2)和第三控制信号(Ctr3)，使得第四MOSFET(RST1)、第二MOSFET(RST2)和第三MOSFET(TG)导通，其中在输出端(OP)处生成第一输出信号(S1)；

提供相应的第四控制信号(Ctr4)、第二控制信号(Ctr2)和第三控制信号(Ctr3)，使得第四MOSFET(RST1)、第二MOSFET(RST2)、和第三MOSFET(TG)截止；

提供相应的第一控制信号(Ctr1)，使得第一MOSFET(RST3)导通；

将光电二极管(PD)曝光；

提供相应的第三控制信号(Ctr3)，使得第三MOSFET(TG)导通，其中在输出端(OP)处生成第二输出信号(S2)；以及

提供相应的第三控制信号(Ctr3)，使得第三MOSFET(TG)截止。

7.根据权利要求6所述的方法，其中提供相应的第四控制信号(Ctr4)、第二控制信号(Ctr2)和第三控制信号(Ctr3)，使得第四MOSFET(RST1)、第二MOSFET(RST2)和第三MOSFET(TG)导通包括：

将第四MOSFET(RST1)、第二MOSFET(RST2)和第三MOSFET(TG)保持导通，使得下列等式成立：

V_emit＝V_base＝V₂，

其中Vemit是三极管的发射极电压，并且V_base是三极管的基极电压(V_base)。