[发明专利]一种增加再分布层结合力的芯片封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有第一钝化层(3)的晶圆(1)，所述晶圆(1)上设有焊垫(2)，所述第一钝化层(3)上开设有供所述焊垫(2)露出的第一开口；

在所述第一开口内形成第一金属层(4)；

在所述第一金属层(4)及所述第一钝化层(3)上形成再分布层(5)，并对所述再分布层(5)的表面进行烘烤，以使所述再分布层(5)的表面粗糙化；

在所述再分布层(5)的表面形成第二钝化层(6)，所述第二钝化层(6)上形成第二开口，所述第二开口暴露出需要导通部分；

在所述第二开口内形成第二金属层(7)；

在所述第二金属层(7)上形成与所述焊垫(2)电接触的凸点(9)。

2.根据权利要求1所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，烘烤温度为100～200℃，烘烤时间10～30min。

3.根据权利要求1所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，所述再分布层(5)通过电化学沉积方法形成，所述第一金属层(4)通过电化学沉积或者溅射的方式形成，所述第二金属层(7)通过电化学沉积或者溅射的方式形成。

4.根据权利要求1所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，所述第二钝化层(6)通过涂覆方式形成；所述第二开口通过激光刻蚀或湿法腐蚀的方式形成。

5.根据权利要求1所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，所述凸点(9)通过沉积或植球方式形成；所述凸点(9)的成分为单一金属或金属合金。

6.根据权利要求1所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，在所述第二金属层(7)上形成与所述焊垫(2)电接触的凸点(9)之前，还包括：制作球下金属层(8)；所述球下金属层(8)通过电化学沉积或溅射的方式形成。

7.一种芯片封装结构，其特征在于，包括绝缘层、导电层、凸点(9)、再分布层(5)和具有焊垫(2)的晶圆(1)；

所述绝缘层包括第一钝化层(3)和第二钝化层(6)，所述第一钝化层(3)设于所述晶圆(1)的表面，所述第一钝化层(3)具有第一开口，所述第一开口暴露出所述焊垫(2)；所述再分布层(5)形成于所述第一钝化层(3)与所述第二钝化层(6)之间，用于重新分布所述焊垫(2)，所述再分布层(5)具有粗糙化表面；所述第二钝化层(6)具有第二开口，所述第二开口暴露出需要导通部分；

所述导电层与所述焊垫(2)电连接，所述导电层包括第一金属层(4)和第二金属层(7)，所述第一金属层(4)形成于所述第一开口内，所述第二金属层(7)形成于所述第二开口内；

所述凸点(9)形成于所述第二金属层(7)上，所述凸点(9)与所述焊垫(2)电连接。

8.根据权利要求7所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，所述再分布层(5)的粗糙化表面通过烘烤方式形成。

9.根据权利要求8所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，烘烤温度为100～200℃，烘烤时间10～30min。

10.根据权利要求7所述的增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，所述再分布层(5)的粗糙化表面通过等离子体刻蚀方式形成。