[发明专利]信号处理电路在审

专利信息
申请号: 201910456441.5 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN112019174A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 吴昭篁;陈家源 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/45
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁丽超
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 信号 处理 电路
【权利要求书】:

1.一种信号处理电路,包含:

一信号接收电路,耦接一第一预定电压电平,用以产生一第一输入信号以及一第二输入信号;

一信号输出电路,用以根据该第一输入信号以及该第二输入信号分别产生一第一输出信号以及一第二输出信号;

一负阻抗电路,包含一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端以及一第二输出端,该第一输出端以及该第二输出端耦接该信号接收电路而该第一输入端以及该第二输入端耦接该信号输出电路,该第一输入端接收该第一输入信号并放大该第一输入信号以在该第二输出端产生一第一放大输入信号,在该第二输入端接收该第二输入信号并放大该第二输入信号以在该第一输出端产生一第二放大输入信号;

一第一电容,包含耦接该第一输出端的一第一端与耦接该第一输入端的一第二端;

一第二电容,包含耦接该第二输出端的一第一端与耦接该第二输入端的一第二端;

其中该第一电容的该第一端上的第一直流电压电平不同于该第一电容的该第二端上的第二直流电压电平,且该第二电容的该第一端上的第三直流电压电平不同于该第二电容的该第二端上的第四直流电压电平,使该负阻抗电路的阻抗-信号变动率小于一预定等级。

2.根据权利要求1所述的信号处理电路,其中,若该信号接收电路中包含至少一第一类晶体管,则该第一电容的该第一端上的第一直流电压电平高于该第一电容的该第二端上的第二直流电压电平,且该第二电容的该第一端上的第三直流电压电平高于该第二电容的该第二端上的第四直流电压电平。

3.根据权利要求1所述的信号处理电路,其中,若该信号接收电路中包含至少一第二类晶体管,则该第一电容的该第一端上的第一直流电压电平低于该第一电容的该第二端上的第二直流电压电平,且该第二电容的该第一端上的第三直流电压电平低于该第二电容的该第二端上的第四直流电压电平。

4.根据权利要求1所述的信号处理电路,该负阻抗电路包含:

一第一晶体管,包含耦接该第一电容的该第二端的一控制端,耦接该第二电容的该第一端的一第一端,以及耦接一第二预定电压电平的一第二端;以及

一第二晶体管,包含耦接该第二电容的该第二端的一控制端,耦接该第一电容的该第一端的一第一端,以及耦接该第二预定电压电平的一第二端。

5.根据权利要求4所述的信号处理电路,其中,该第一晶体管为一第一N型金氧半场效晶体管或一第一P型金氧半场效晶体管,该第一N型金氧半场效晶体管或该第一P型金氧半场效晶体管的栅极为该第一晶体管的该控制端,该第一N型金氧半场效晶体管的漏极或该第一P型金氧半场效晶体管的源极为该第一晶体管的该第一端,该第一N型金氧半场效晶体管的源极或该第一P型金氧半场效晶体管的漏极为该第一晶体管的该第二端,该第二晶体管为一第二N型金氧半场效晶体管,该第二N型金氧半场效晶体管的栅极为该第二晶体管的该控制端,该第二N型金氧半场效晶体管的漏极为该第二N型金氧半场效晶体管的该第一端,该第二N型金氧半场效晶体管的源极为该第二N型金氧半场效晶体管的该第二端。

6.根据权利要求1所述的信号处理电路,其中,该信号输出电路包含:

一混频电路,用以分别降频该第一放大输入信号以及该第二放大输入信号以产生一第一降频信号以及一第二降频信号;以及

一电流电压转换器,耦接该混频电路,用以分别根据该第一降频信号以及该第二降频信号产生该第一输出信号以及该第二输出信号,该电流电压转换器包含:

一运算放大器,包含一第一输入端、一第二输入端、一第一输出端以及一第二输出端,该第一输入端以及该第二输入端耦接该混频电路,该第一输出端以及该第二输出端分别用以输出该第一输出信号以及该第二输出信号,且该运算放大器在该第一输出端产生该第二直流电压电平以提供给该第一电容的该第二端并在该第二输出端产生该第四直流电压电平以提供给该第二电容的该第二端。

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