[发明专利]形成RDL的方法和由其形成的结构

权利要求书

1.一种形成半导体结构的方法，包括：

将器件管芯封装在封装材料中；形成电耦合至所述器件管芯的多个第一导电部件，其中，形成所述多个第一导电部件包括沉积和蚀刻工艺，包括：

沉积毯式含铜层；

在所述毯式含铜层上方形成图案化的光刻胶；和

蚀刻所述毯式含铜层以将所述图案化的光刻胶的图案转印到所述毯式含铜层中；以及

形成耦合到所述器件管芯的多个导电层，其中，所述多个导电层包括：

第一导电层，包括多个第二导电部件，其中，当所述多个第二导电部件具有小于阈值间距的第二最小间距时，使用沉积和光刻胶蚀刻工艺或者沉积和硬掩模蚀刻工艺形成所有的所述多个第二导电部件，当所述多个第二导电部件具有等于或大于所述阈值间距的所述第二最小间距时，使用光刻胶辅助镀工艺形成所有的所述多个第二导电部件，所述阈值间距是使用所述光刻胶辅助镀工艺实现的最小间距；和

第二导电层，包括多个第三导电部件，其中，当所述多个第三导电部件具有小于所述阈值间距的第三最小间距时，使用沉积和光刻胶蚀刻工艺或者沉积和硬掩模蚀刻工艺形成所有的所述多个第三导电部件，当所述多个第三导电部件具有等于或大于所述阈值间距的所述第三最小间距时，使用光刻胶辅助镀工艺形成所有的所述多个第三导电部件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个第一导电部件具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁具有小于85度的倾斜角。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个第一导电部件还包括：

在所述毯式含铜层上方沉积硬掩模；以及

使用所述图案化的光刻胶作为蚀刻掩模蚀刻所述硬掩模，其中，使用蚀刻的所述硬掩模作为蚀刻掩模蚀刻所述毯式含铜层。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括沉积粘合层，其中，所述粘合层和所述硬掩模由相同的材料形成，其中，所述毯式含铜层在所述粘合层上方并与所述粘合层接触。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，在湿蚀刻工艺中蚀刻所述硬掩模。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，在干蚀刻工艺中蚀刻所述硬掩模。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光刻胶辅助镀工艺包括：

沉积金属晶种层；

在所述金属晶种层上方形成额外的图案化的光刻胶；

将金属区域镀到额外的图案化的光刻胶中的开口内和金属晶种层上方；

去除额外的图案化的光刻胶以暴露所述金属晶种层的部分；以及

蚀刻所述金属晶种层的部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，利用所述光刻胶辅助镀工艺形成所述多个第二导电部件，所述多个第一导电部件具有小于所述多个第二导电部件的所述第二最小间距的第一最小间距。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括：

通过形成多个样品导电部件以确定所述阈值间距，其中，具有小于所述阈值间距的间距的所述多个样品导电部件中的金属部件在通过所述光刻胶辅助镀工艺形成时，遭受光刻胶坍塌问题，而具有等于或大于所述阈值间距的间距的所述多个样品导电部件中的所有金属部件在通过所述光刻胶辅助镀工艺形成时，没有所述光刻胶坍塌问题。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个第一导电部件包括通孔，并且所述多个第二导电部件包括金属线，所述通孔的顶面与所述金属线的底面物理接触。

11.根据权利要求4所述的方法，其中，所述粘合层和所述硬掩模由氮化钛形成。