[发明专利]一种基于CdS/SnO2

权利要求书

1.一种基于CdS/SnO₂混合N型层的高效Sb₂Se₃薄膜电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法步骤如下：

(1)采用化学浴沉积的方法，在FTO衬底上制备一层CdS薄膜；

(2)采用旋涂的方法，在步骤(1)得到的CdS薄膜上旋涂沉积一层SnO₂薄膜；

将步骤(1)所得的厚度为10-40nm的CdS薄膜放入旋涂仪中，滴加配置好的SnO₂水溶液于CdS薄膜上，旋涂4次，每次旋涂30s，转速5000rpm，之后150℃退火30min，得到厚度为10-40nm的SnO₂，其中，SnO₂水溶液按照质量比SnO₂:H₂O＝1:4配制；

(3)采用快速热蒸发的方法，在步骤(2)得到的CdS/SnO₂薄膜上沉积一层Sb₂Se₃薄膜；

将步骤(2)得到的CdS/SnO₂薄膜放入快速退火炉中，在压力为0.34Pa，温度为580℃下沉积110s得到Sb₂Se₃薄膜；

(4)采用蒸发的方法，在步骤(3)得到的Sb₂Se₃薄膜上制备一层金电极；

所述薄膜电池的结构自下而上依次为：FTO衬底、CdS层、SnO₂层、Sb₂Se₃层、Au。

2.如权利要求1所述的基于CdS/SnO₂混合N型层的高效Sb₂Se₃薄膜电池的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)按以下步骤进行：对FTO玻璃依次用泡沫水，丙酮，乙醇和去离子水超声清洗，干燥后用水浴法制备厚度为10-40nm的CdS薄膜。

3.如权利要求1所述的基于CdS/SnO₂混合N型层的高效Sb₂Se₃薄膜电池的制备方法，其特征在于，将步骤(3)得到的Sb₂Se₃薄膜放入蒸发仪中，蒸发一层80nm厚的金电极。