[发明专利]一种保护用电流互感器10％误差校核方法

权利要求书

1.一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤100、对电流互感器进行CT伏安特性试验，获取电流互感器铁芯的磁化曲线U＝f(Ie)；

所述磁化曲线U＝f(Ie)的测定方法包括：

步骤101、采用低频变频电源测量保护用电流互感器的铁芯磁化性能；

步骤102、控制低频变频电源的频率f_i，由铁芯的磁通匝Φ公式：

得到励磁电压

步骤103、根据励磁电压公式分别测定以5Hz为一个梯度下的5Hz至50Hz的励磁电压U_i，绘制励磁电压U_i曲线；

步骤104，当制励磁电压U_i曲线与磁化曲线U＝f(Ie)基本重合时，确定磁化曲线U＝f(Ie)符合要求，则进行10％误差校核步骤；

所述磁化曲线U＝f(Ie)的绘制方法包括：

先通过低频变频电源测量保护用电流互感器在要求电压下生成励磁电压曲线；

根据磁化曲线U＝f(Ie)的初始值以及励磁电压曲线的曲度直接绘制生成磁化曲线U＝f(Ie)；

步骤200、依据所述磁化曲线，分别求出电流互感器的励磁电压E、励磁阻抗Ze、电流倍数m₁₀、CT允许负载和CT所允许的二次负载阻抗Zen；

步骤300、在电流互感器的CT安装处的端子排上打开电缆接线，并分别测得CT二次绕组直阻R₂和CT二次交流负载阻抗Z；

步骤400、计算CT所处电压等级对应的最大短路电流；

步骤500、获取步骤200的电流倍数m₁₀以及电流倍数m₁₀对应的CT所允许的二次负载阻抗Zen，将步骤300测得到的CT二次交流负载阻抗Z按照所述步骤400得到的CT所处电压等级的最大短路电流类型换算成CT二次交流负载阻抗Z1，当Z1≤Zen时，电流互感器为合格。

2.根据权利要求1所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，所述磁化曲线U＝f(Ie)为电流互感器二次侧励磁电流与电流互感器二次侧所加电压的关系曲线。

3.根据权利要求1所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，所述步骤200包括根据测试CT伏安特性时的等效电路，测得：

励磁电压：E＝U-I_eZ₂；

励磁阻抗：

电流倍数：

其中，I₁为CT所处电压等级下最大一次短路电流；I_1N为CT一次侧额定电流；I_e为励磁电流；I_2N为CT二次侧额定电流；Z₂为CT二次绕组漏阻抗；

当I_2N＝5A时，

当I_2N＝1A时，

4.根据权利要求3所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，所述CT允许负载的测量方法包括：

依据CT 10％误差的定义，将CT一次侧电流分为10份，励磁电流最多占1份，二次侧电流最少占9份即满足要求。

5.根据权利要求3所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，依据CT正常运行时的等效电路，所述CT所允许的二次负载阻抗：

其中，Z₂可近似用CT二次绕组直阻R₂，即Z₂＝R₂。

6.根据权利要求1所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，所述步骤300中CT二次绕组直阻R₂包括：

在CT安装处端子排上打开电缆接线，用双臂电桥测得CT带电缆的直阻R2。

7.根据权利要求1所述的一种保护用电流互感器10％误差校核方法，其特征在于，所述低频变频电源包括实现变频调节的控制电路，以及与所述控制电路连接的整流电路、直流中间电路和逆变输出电路；

所述控制电路输出的频率f_i依次经过所述整流电路、直流中间电路和逆变输出电路进行调频和调幅后，形成低频交流。