[发明专利]一种槽型结型势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910458036.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110098263A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;范鑫;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 外延层 结型 势垒 隔离介质层 上表面 槽型 顶层金属层 种槽 正向导通电阻 底层金属层 反向漏电流 内部设置 依次设置 有效抑制 衬底层 电迁移 环绕 退化 保证 | ||
1.一种槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的底层金属层(1)、N+衬底层(2)和N-外延层(3)，其中，
所述N-外延层(3)的上表面设置有若干个P型离子注入区(4)，每个所述P型离子注入区(4)内部设置有凹槽(5)，相邻所述P型离子注入区(4)之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势，所述凹槽(5)的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势；
所述N-外延层(3)上设置有隔离介质层(6)和顶层金属层(7)，所述隔离介质层(6)环绕在所述N-外延层(3)上表面的四周，所述顶层金属层(7)设置在所述N-外延层(3)和所述隔离介质层(6)的上表面以及所述凹槽(5)的内部。
2.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，
所述N+衬底层(2)与所述底层金属层(1)的接触区为欧姆接触区(8)；
所述N-外延层(3)与所述顶层金属层(7)的接触区为N型肖特基接触区(9)；
所述凹槽(5)的底部与所述顶层金属层(7)的第一接触区(10)为P型肖特基接触或欧姆接触。
3.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述P型离子注入区(4)之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心连续增大。
4.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述P型离子注入区(4)之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈阶梯状增大。
5.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽(5)的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心连续增大。
6.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽(5)的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈阶梯状增大。
7.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，每个所述P型离子注入区(4)的宽度均相等，所述P型离子注入区(4)的深度与其对应所述凹槽(5)的深度之间的差值不变。
8.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，所述凹槽(5)的宽度≤5μm，深度≥1μm。
9.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，相邻所述P型离子注入区(4)之间的间距≥3μm。
10.根据权利要求1所述的槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，所述P型离子注入区(4)侧壁厚度≤0.8μm。
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