[发明专利]一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件

权利要求书

1.一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括从下至上依次设置的漏电极(1)、N型掺杂衬底层(2)、N型漂移区(3)和P型基区(4)，其中，

所述P型基区(4)上设置有P型源区(5)和N型源区(6)；

所述P型基区(4)的内部设置有槽栅结构(7)，所述槽栅结构(7)的底部延伸至所述N型漂移区(3)的内部，所述槽栅结构(7)的顶部延伸出所述P型基区(4)的上表面；

所述槽栅结构(7)底部的拐角处设置有掩蔽层结构(8)，所述掩蔽层结构(8)对所述槽栅结构(7)底部的拐角呈包裹状，且未与所述P型基区(4)的下表面接触；

所述P型源区(5)和所述N型源区(6)上设置有源电极(9)；

所述槽栅结构(7)上设置有栅电极(10)。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在，两个所述P型源区(5)均呈杆状，分别位于所述P型基区(4)上表面的两端；

两个所述N型源区(6)均呈杆状，分别位于两个所述P型源区(5)的内侧且与对应侧的所述P型源区(5)相接触；

所述槽栅结构(7)包括栅介质沟槽(11)和位于所述栅介质沟槽(11)内部的导电材料(12)，其中，所述栅介质沟槽(11)伸出所述P型基区(4)上表面的部分同时与两个所述N型源区(6)的侧面接触。

3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在，所述P型源区(5)呈环状，且环绕所述P型基区(4)上表面的四周；

所述N型源区(6)呈环状，位于所述P型源区(5)环状的内侧；

且所述N型源区(6)的外侧面与所述P型源区(5)的内侧面相接触；

所述槽栅结构(7)包括栅介质沟槽(11)和位于所述栅介质沟槽(11)内部的导电材料(12)，其中，所述栅介质沟槽(11)伸出所述P型基区(4)上表面的部分位于所述N型源区(6)上表面的中心，且与所述N型源区(6)的内侧面相接触。

4.根据权利要求2或3所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在，所述栅电极(10)设置在所述导电材料(12)的上表面。

5.根据权利要求2或3所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，

所述掩蔽层结构(8)包括第一掩蔽层(13)和第二掩蔽层(14)，所述第一掩蔽层(13)与所述第二掩蔽层(14)对称设置在所述槽栅结构(7)底部的两个拐角处，且所述第一掩蔽层(13)呈└型，所述第二掩蔽层(14)呈┘型；

所述第一掩蔽层(13)的内表面与所述栅介质沟槽(11)的所述拐角处接触；

所述第二掩蔽层(14)的内表面与所述栅介质沟槽(11)的另一所述拐角处接触。

6.根据权利要求5所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第一掩蔽层(13)与所述第二掩蔽层(14)两侧边的长度a均为0.5-1.5μm。

7.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述掩蔽层结构(8)通过金属线连接所述源电极(9)。

8.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述掩蔽层结构(8)为P型掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁸-5×10¹⁸cm^-3。

9.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述掩蔽层结构(8)通过离子注入工艺形成。