[发明专利]一种Cu-NbMoTaW合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910458458.4 申请日: 2019-05-29
公开(公告)号: CN110144484B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 张金钰;赵建拓;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C22C9/00 分类号: C22C9/00;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/35
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 范巍
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 cu nbmotaw 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Cu-NbMoTaW合金,其特征在于,所述Cu-NbMoTaW中原子百分比为:Nb、Mo、Ta和W四种元素的含量相同,四种元素总占百分比为1.9~22.1,其余为Cu;所述Cu-NbMoTaW合金的晶粒为柱状纳米晶,其晶粒尺寸为5.0-55nm,所述柱状纳米晶中含有纳米孪晶,纳米孪晶的百分比不超过65%;

所述Cu-NbMoTaW合金的纳米压痕硬度为3.27GPa~5.95GPa。

2.根据权利要求1所述的Cu-NbMoTaW合金,其特征在于:所述NbMoTaW的原子总百分比为22.1%。

3.一种如权利要求1或2所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1、对基体表面进行清洗烘干;

具体为,将抛光的基体依次在丙酮和酒精中超声清洗10 min,然后烘干,抛光面的粗糙度小于0.8 nm;

步骤2、将基体送入磁控溅射镀膜室,然后抽真空;

步骤3、采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备Cu-NbMoTaW合金;

Cu靶纯度99.99 wt%,直流电源功率200 W,NbMoTaW靶纯度99.97 wt%、射频电源功率20~250 W,沉积气压0.5 Pa,沉积温度为室温,基盘转速15 r/min,沉积时间5000 s;

步骤4、将步骤3得到的基体进行真空冷却,得到Cu-NbMoTaW合金。

4.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤2中所述抽真空至背底真空度小于4.0×10-4 Pa。

5.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤3中所述磁控溅射共溅射方法为,Cu靶采用直流电源进行溅射,NbMoTaW靶采用射频电源进行溅射。

6.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤4制备的Cu-NbMoTaW合金厚度为1.5 μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910458458.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top