[发明专利]一种Cu-NbMoTaW合金及其制备方法有效
申请号: | 201910458458.4 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110144484B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 张金钰;赵建拓;王亚强;吴凯;刘刚;孙军 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C23C14/14;C23C14/16;C23C14/35 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 范巍 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu nbmotaw 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种Cu-NbMoTaW合金,其特征在于,所述Cu-NbMoTaW中原子百分比为:Nb、Mo、Ta和W四种元素的含量相同,四种元素总占百分比为1.9~22.1,其余为Cu;所述Cu-NbMoTaW合金的晶粒为柱状纳米晶,其晶粒尺寸为5.0-55nm,所述柱状纳米晶中含有纳米孪晶,纳米孪晶的百分比不超过65%;
所述Cu-NbMoTaW合金的纳米压痕硬度为3.27GPa~5.95GPa。
2.根据权利要求1所述的Cu-NbMoTaW合金,其特征在于:所述NbMoTaW的原子总百分比为22.1%。
3.一种如权利要求1或2所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、对基体表面进行清洗烘干;
具体为,将抛光的基体依次在丙酮和酒精中超声清洗10 min,然后烘干,抛光面的粗糙度小于0.8 nm;
步骤2、将基体送入磁控溅射镀膜室,然后抽真空;
步骤3、采用磁控溅射共溅射方法在基体上制备Cu-NbMoTaW合金;
Cu靶纯度99.99 wt%,直流电源功率200 W,NbMoTaW靶纯度99.97 wt%、射频电源功率20~250 W,沉积气压0.5 Pa,沉积温度为室温,基盘转速15 r/min,沉积时间5000 s;
步骤4、将步骤3得到的基体进行真空冷却,得到Cu-NbMoTaW合金。
4.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤2中所述抽真空至背底真空度小于4.0×10-4 Pa。
5.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤3中所述磁控溅射共溅射方法为,Cu靶采用直流电源进行溅射,NbMoTaW靶采用射频电源进行溅射。
6.根据权利要求3所述的Cu-NbMoTaW合金的制备方法,其特征在于,步骤4制备的Cu-NbMoTaW合金厚度为1.5 μm。
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