[发明专利]单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板

权利要求书

1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，是利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N-区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长的方法，

当使所述单晶硅生长时，在2×10¹³atoms/cm³以上且3.2×10¹⁴atoms/cm³以下的氮浓度下掺杂氮，

使所述单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，

与在提拉所述单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大所述Ge/Gc。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，

通过控制石英坩埚内的配置于原料融液正上方的热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔、使以包围所述石英坩埚的方式配置的加热器的位置相对于所述原料融液的液面降低、使在所述单晶硅的制造装置的主腔室外侧配置的磁场施加装置的磁场强度减弱、以及使所述磁场施加装置的位置降低中的任意一种或者两种以上的组合来进行所述Ge/Gc的调整。

3.根据权利要求2所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，

在通过控制所述热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔来进行所述Ge/Gc的调整时，当将不掺杂氮的情况下结晶整面成为N-区域的条件下的所述热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔设为D时，使掺杂氮的情况下的所述热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔以成为对应氮浓度而根据D’/D＝0.94-氮浓度/(2.41×10¹⁵)求出的D’的方式进行变化。

4.根据权利要求3所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，

在所述求出的D’比20mm大的情况下，通过使所述热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔成为所述求出的D’来调整所述Ge/Gc，在所述求出的D’为20mm以下的情况下，使所述热屏蔽体与所述原料融液的液面的间隔为20mm，进而，通过使以包围所述石英坩埚的方式配置的加热器的位置相对于所述原料融液的液面降低、使在所述单晶硅的制造装置的主腔室的外侧配置的磁场施加装置的磁场强度减弱、以及使所述磁场施加装置的位置降低中的任意一种或者两种以上的组合来调整所述Ge/Gc。