[发明专利]一种X波段温度自补偿T/R组件系统有效
申请号: | 201910458745.5 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110221253B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 黄进;林先觉;康乐;王萌;周金柱;王睿 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G01S7/282 | 分类号: | G01S7/282;G01S7/285;G01S7/35;G01S13/00 |
代理公司: | 西安长和专利代理有限公司 61227 | 代理人: | 何畏 |
地址: | 710071 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 波段 温度 补偿 组件 系统 | ||
本发明属于有源相控阵技术领域,公开了一种X波段温度自补偿T/R组件系统。首先构建T/R组件射频波控硬件电路,实现温度实时采集及监控功能,实现对组件的幅值相位数据的采集和控制功能。其次基于在线序贯极限学习机模型,利用温度频率‑幅值相位反馈补偿方法对单通道T/R组件的幅值相位进行补偿,包括:构造训练数据集、训练在线序贯网络模型、预测实时幅值相位、补偿幅值相位。本发明实时采集组件温度、频率及幅相信息,在线预测并能够在线更新模型,实时补偿温度对T/R组件电性能的影响。
技术领域
本发明属于有源相控阵技术领域,尤其涉及一种X波段温度自补偿T/R组件系统。
背景技术
目前,最接近的现有技术:在有源相控阵雷达技术研究中,T/R组件是影响其电性能的重要组成部分。F.E.van Vliet,A.de Boer利用0.25m的GaAs pHEMT工艺研制X波段T/R组件MMIC芯片,解决T/R组件单片集成问题。Kiarash Gharibdoust等人利用0.18μmCMOS工艺设计一款X波段T/R组件芯片,该芯片每个通道都包含一个六位移相器、一个六位衰减器以及两个输入放大器和两个输出放大器,但未给出相位、幅度随温度变化的性能曲线。国外在T/R组件的研究方面投入大量的成本,并保持相对较高的研究水平。国内研究T/R组件技术起步较晚,与发达国家相比还有一定的差距。南京电子技术研究所、西南电子技术研究所、中电三十八所等都相继开展了对T/R组件幅相控制的研究,但未解决工作温度对组件影响问题,不具备组件电性能的温度自补偿的功能。
综上所述,现有技术存在的问题是:面对T/R组件设计以及研制中,T/R组件电性能受温度影响,幅相一致性难于准确控制的问题,有必要研究性能稳定的X波段温度自补偿T/R组件系统。
解决上述技术问题的难度:上述技术问题的难度在于如何给出温度频率-幅值相位的准确模型,令预测的电性能尽可能逼近真实电性能,如何对组件性能进行实时补偿,使温度自补偿T/R组件电性能稳定。
解决上述技术问题的意义:由于T/R组件向着小型化,高密度化的方向发展,使得温度对电性能的影响越来越明显,T/R组件是影响有源相控阵天线电性能的核心部件,因此解决上述技术问题,得到性能稳定的X波段温度自补偿T/R组件,有助于提升有源相控阵天线的性能。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明提供了一种X波段温度自补偿T/R组件系统。
本发明是这样实现的,一种X波段温度自补偿T/R组件系统,所述X波段温度自补偿T/R组件系统包括:
首先,构建T/R组件射频波控硬件电路,实现温度实时采集及监控功能,实现对组件的幅值相位数据的采集和控制功能。
其次,基于在线序贯极限学习机模型,利用温度频率-幅值相位反馈补偿方法对单通道T/R组件的幅值相位进行补偿,包括:构造训练数据集、训练在线序贯网络模型、预测实时幅值相位、补偿幅值相位。
进一步,所述温度频率-幅值相位反馈补偿方法具体包括以下步骤:
步骤一,构造训练数据集。
对单通道T/R组件电路进行电性能测试实验,得到不同温度T及频率f下单通道T/R组件的幅值和相位,温度取值范围为-40℃~+80℃,间隔0.2℃;频率取值范围为8GHz~12GHz,间隔1MHz。
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