[发明专利]一种晶圆键合的激光加工方法有效
申请号: | 201910459842.6 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110085528B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 陈洁 | 申请(专利权)人: | 苏州福唐智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 激光 加工 方法 | ||
1.一种晶圆键合的激光加工方法,包括如下步骤:
(1)提供第一晶圆,所述第一晶圆具有相对的正面和背面,并在所述第一晶圆内形成贯通所述正面和背面的第一导电孔;
(2)在所第一晶圆的正面上涂覆一层粘合层,并在对应所述第一导电孔的位置形成开窗;
(3)利用植球工艺在所述开窗对应的位置设置焊料球;
(4)提供第二晶圆,所述第二晶圆具有通孔结构,所述通孔结构对应于所述第一导电孔,该通孔结构包括具有第一宽度的通孔和具有第二宽度的盲孔,其中所述通孔的一端露出于所述第二晶圆的背面,另一端露出于所述盲孔的底部,且所述第一宽度小于所述第二宽度,以形成一阶梯形状;
(5)将第二晶圆的正面与第一晶圆的正面压合在一起,经由所述通孔照射激光至所述焊料球的顶部,使得所述焊料球熔融并填充所述盲孔,并在所述通孔的所述另一端形成一弧形凸面;
(6)利用导电材料填充所述通孔,以形成电连接所述导电孔的另一导电孔。
2.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:所述焊料球突出于所述粘合层之上,即焊料球高度大于所述粘合层的高度。
3.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:在所述激光照射前,所述通孔的侧壁具有第一粗糙度,在所述激光照射后,所述通孔的侧壁具有第二粗糙度,其中,所述第一粗糙度大于所述第二粗糙度。
4.根据权利要求1所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:所述另一导电孔的孔径小于所述导电孔的孔径。
5.一种晶圆键合的激光加工方法,包括如下步骤:
(1)提供第一晶圆,并在所述第一晶圆的正面上先形成第一粘合层;
(2)在所述第一粘合层中形成多个第一开口,所述第一开口对应于后续需要形成通孔的位置;
(3)通过所述第一开口对所述第一晶圆进行刻蚀,在所述第一开口对应的位置形成第一盲孔,所述第一盲孔贯穿所述第一粘合层,但未贯穿所述第一晶圆,且所述第一盲孔具有第一孔径;
(4)在所述第一盲孔内填充第一焊料,并进行固化,所述第一焊料的顶面与所述第一粘合层的顶面齐平,以此得到预键合的第一晶圆;
(5)提供第二晶圆,并重复上述步骤(1)-(4),得到预键合的第二晶圆,所述预键合的第二晶圆具有与所述预键合的第一晶圆对应的第二粘合层、第二盲孔以及设置在第二盲孔中的第二焊料;
(6)将所述预键合的第一晶圆和第二晶圆的正面相对压合,使得第一晶圆和第二晶圆通过第一和第二粘合层进行粘合在一起;
(7)利用激光在第一晶圆中形成第一通孔,所述通孔的底部露出所述第一焊料,且所述激光能量至少使得部分所述第一和第二焊料熔融,以此使得第一和第二焊料进行焊接,然后进行冷却固化;其中,所述通孔具有第二孔径;
(8)在所述第一通孔中填充导电物质,形成第一导电孔;
(9)利用激光在第二晶圆中形成第二通孔,所述第二通孔的底部露出所述第二焊料,且所述激光能量至少使得部分所述第一和第二焊料熔融,以此使得第一和第二焊料和进行二次混合焊接,然后进行冷却固化;其中,所述通孔具有第三孔径;
(10)在所述第二通孔内填充导电物质,形成第二导电孔。
6.根据权利要求5所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:所述第一孔径大于所述第二孔径。
7.根据权利要求5所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:所述第一孔径大于所述第三孔径。
8.根据权利要求5所述的晶圆键合的激光加工方法,其特征在于:所述第一和第二晶圆上形成有电子元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州福唐智能科技有限公司,未经苏州福唐智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910459842.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造