[发明专利]一种GaN倒装芯片的焊接方法有效
| 申请号： | 201910461458.X | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110233110B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 崔素杭;白欣娇;王静辉;袁凤坡;田志怀;唐景庭;张志庆 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 郄旭宁 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 倒装 芯片 焊接 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN倒装芯片的焊接方法，其特征在于：所述的方法的具体步骤包括，
A、减少基板(1)在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；
B、在倒装芯片(2)上植入第一层的锡球(3)或者铜柱；
C、在倒装芯片(2)上的第一层的锡球(3)或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层的锡球(3)，将第二层的锡球(3)放置在第一层的锡球(3)或铜柱的助焊剂上，助焊剂将两层锡球(3)或锡球(3)与铜柱粘结，第二层的锡球(3)的成分为SnAgCu；
D、将粘结第二层的锡球(3)的倒装芯片(2)贴装在基板(1)上，放入真空回流焊中进行焊接。
2.根据权利要求1所述的一种GaN倒装芯片的焊接方法，其特征在于：所述的真空吸附治具的吸附口的直径小于第二层的锡球(3)的直径。
3.根据权利要求1所述的一种GaN倒装芯片的焊接方法，其特征在于：所述的第一层、第二层的锡球(3)的直径为20-30μm。
4.根据权利要求1所述的一种GaN倒装芯片的焊接方法，其特征在于：所述的基板(1)上Ni层的厚度为0.3-0.5μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
