[发明专利]一种被测器件软错误甄别方法、装置及计算机设备在审
申请号: | 201910461576.0 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110221143A | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
发明(设计)人: | 张战刚;雷志锋;彭超;何玉娟;肖庆中;黄云;恩云飞 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 510610 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 被测器件 计算机设备 软错误检测 检测结果 软错误率 异常恢复 辐射 | ||
本发明提供了一种被测器件软错误甄别方法、装置和计算机设备,在出现软错误的情况下,所述方法对被测器件进行器件异常恢复操作,并再次进行软错误检测,根据检测结果确定软错误是否来自于被测器件,从而区分被测器件与其他设备中发生的辐射效应,获得被测器件软错误率,方法简便易行。
技术领域
本发明涉及电子器件可靠性领域,具体而言,涉及一种被测器件软错误甄别方法、装置及计算机设备。
背景技术
软错误是指辐射粒子与器件材料之间的相互作用而在电子器件中造成的随机、临时的状态改变或瞬变。工作在地面和大气层中的电子器件的软错误主要有两个来源:1)封装材料中的放射性杂质衰变;2)大气中子。电子器件的软错误率决定了相应电子系统的故障率,对于航空、通信、金融、医疗等具有高可靠需求的应用至关重要。随着半导体工艺节点的不断缩小,软错误的影响将变得越来越恶劣。鉴于此,对电子器件的软错误率进行评估具有重要意义。
目前,由于我国尚无完备的高能中子实验条件(包括散裂中子源、准单能中子源或高能质子源),因此需通过非加速实时测量来开展大气中子单粒子效应研究,且实时测量实验结果最为真实,可直接用于电子器件大气中子单粒子效应的敏感性评价以及其它实验方法准确性的验证。然而,在开展大气中子单粒子效应非加速实时测量试验时,整个测试系统全部暴露在天然辐射环境中,大气中子可能在被测器件中,也可能在测试板上其它敏感器件(如FPGA、存储器等)、测试设备等中引起单粒子效应,导致测试结果的混淆,影响测试结果的准确性。因此,需要建立一种被测器件软错误甄别技术,用于区分是在被测器件中,还是在测试板上其它敏感器件、测试设备等中发生的辐射效应,从而获得被测器件软错误率。
发明内容
为了实现上述区分可能在被测器件中,也可能在测试板上其他敏感器件、测试设备等中发生的软错误,本发明提供一种被测器件软错误甄别方法。
为了实现上述目的,本发明实施例所提供的技术方案如下所示:
第一方面,本发明实施例提供一种被测器件软错误甄别方法,包括:控制被测器件进行器件异常恢复操作;对所述被测器件进行读取和比较操作,以判断所述软错误是否还存在;在为否时,判定所述被测器件出现软错误。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,控制被测器件进行器件异常恢复操作,包括:对所述被测器件进行数据修正操作。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,在对所述被测器件进行数据修正操作后,判断所述软错误是否还存在,在为否时,判定被测器件的存储区出现软错误。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,控制被测器件进行器件异常恢复操作,包括:对被测器件依次执行重置和写操作。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,在对所述被测器件依次执行重置和写操作后,判断所述软错误是否还存在,在为否时,判定被测器件的外围电路出现软错误。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,控制被测器件进行器件异常恢复操作,包括:对被测器件依次执行重启和写操作。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,在对所述被测器件依次执行重启和写操作后,判断所述软错误是否还存在,在为否时,判定被测器件的外围电路出现软错误。
结合第一方面,在一些可能的实现方式中,方法还包括:统计多个软错误发生位置,并判断多个软错误发生位置是否于被测器件内均匀分布;在为是时,判定所述软错误是由于所述被测器件内产生辐射效应。
第二方面,本发明实施例还提供一种被测器件软错误甄别装置,包括:控制模块、处理模块和分析模块,控制模块用于控制被测器件进行器件异常恢复操作,处理模块对所述被测器件进行读取和比较操作,以判断所述软错误是否还存在,分析模块用于在所述处理模块判断所述软错误不再存在时,判定所述被测器件出现软错误。
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