[发明专利]一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法

权利要求书

1.一种电子级高纯多晶硅还原启动设备，其特征在于，包括微波发生装置和还原装置；

所述还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；

所述还原炉的炉体具有微波馈入口，所述微波馈入口具有至少一层密封罩，所述密封罩与所述炉体构成密封的腔体；

所述微波发生装置产生的微波透过所述密封罩进入所述炉体内，对所述炉体内的发热体进行加热，以使所述发热体的温度达到启动温度；

所述第一电源组件用于在所述发热体的温度达到启动温度后，对所述发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在所述发热体表面。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述微波的频率范围为915MHz～2450MHz，所述微波的功率范围为15kW～100kW。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述微波馈入口为圆形窗口。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述还原炉还包括水冷却流道；所述水冷却流道设置在所述密封罩四周。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述炉体内靠近所述密封罩的区域具有气口，以通过所述气口吹出的气体对所述密封罩进行清洁。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述微波馈入口具有两层密封罩，所述密封罩在所述微波的入射方向上依次排列。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述密封罩的材料为石英玻璃、陶瓷或碳化硅。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述微波发生装置包括第二电源组件和波导组件；

所述第二电源组件用于向所述波导组件提供电源；

所述波导组件用于产生微波；

所述波导组件位于所述第二电源组件的顶部，所述微波馈入口位于所述还原炉炉体的顶部，所述波导组件通过波导管与所述微波馈入口连通。

9.根据权利要求8所述的设备，其特征在于，所述第二电源组件位于电压柜中，所述电源柜的底部具有滚轮以及液压升降装置，所述滚轮用于使所述电源柜移动，所述液压升降装置用于调整所述电源柜的高度。

10.一种电子级高纯多晶硅还原启动方法，其特征在于，应用于权利要求1～9任一项所述的电子级高纯多晶硅还原启动设备，所述方法包括：

微波发生装置产生微波，所述微波透过所述密封罩进入所述炉体内，对所述炉体内的发热体进行加热，以使所述发热体的温度达到启动温度；

当所述发热体的温度达到启动温度后，第一电源组件对所述发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在所述发热体表面。