[发明专利]发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

n型半导体层；

台面，以使所述n型半导体层的上表面部分暴露的方式位于所述n型半导体层上，并包括活性层及位于所述活性层上的p型半导体层；

第一键合垫，电连接于所述n型半导体层；

引线键合用第二键合垫，电连接于所述p型半导体层；以及

第一绝缘层，至少一部分布置于通过所述台面暴露的n型半导体层的暴露区域与所述第二键合垫之间，

其中，所述第一绝缘层覆盖通过所述台面暴露的n型半导体层的暴露区域中的最靠近所述第二键合垫的暴露区域与所述第二键合垫之间的所述p型半导体层区域的一部分，

所述第一绝缘层沿邻近于暴露的所述n型半导体层的所述p型半导体层的边缘部位而布置，

其中，所述第一绝缘层与所述第二键合垫隔开而布置。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层比所述第二键合垫更靠近暴露的所述n型半导体层而布置。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层局部地覆盖暴露的所述n型半导体层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层具有比所述第二键合垫的宽度大的长度。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层具有包围所述第二键合垫的三个面的形状。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述台面具有长的形状，

所述第二键合垫在所述台面上与所述第一键合垫相向而布置于所述台面的长度方向的一侧末端边缘部位附近，

所述第一绝缘层覆盖所述第二键合垫与所述一侧末端边缘部位之间的所述p型半导体层区域的一部分。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层还覆盖所述一侧末端边缘部位附近的台面侧面及暴露的n型半导体层。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其中，

所述第一绝缘层在所述一侧末端边缘部位附近沿所述台面的边缘部位而在长度方向上延伸。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中，

沿所述台面的长度方向布置的第一绝缘层部分的长度大于所述第二键合垫的宽度，并小于所述台面的最大长度的1/2。

10.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述台面包括通过所述p型半导体层及所述活性层而使所述n型半导体层暴露的凹槽，

所述第一绝缘层覆盖位于所述凹槽与所述第二键合垫之间的所述p型半导体层区域的一部分。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，还包括：

附加绝缘层，与所述第一绝缘层隔开，

其中，所述台面包括通过所述p型半导体层及所述活性层而使所述n型半导体层暴露的凹槽，

所述附加绝缘层覆盖位于所述凹槽与所述第二键合垫之间的所述p型半导体层区域的一部分。

12.根据权利要求11所述的发光二极管，其中，

所述附加绝缘层覆盖所述凹槽侧壁的一部分。

13.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，还包括：

透明电极，欧姆接触于所述p型半导体层，

其中，所述第二键合垫位于所述透明电极上而电连接于所述透明电极。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，

所述透明电极覆盖所述第一绝缘层的一部分。