[发明专利]一种低应力耐湿热复合热控薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910461825.6 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110527962B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 何延春;吴春华;周晖;王志民;王艺;赵慨;王虎;杨淼;张凯锋;左华平 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/14;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 张洁;周蜜 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应力 湿热 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种低应力耐湿热复合热控薄膜，其特征在于：所述薄膜包括依次沉积在基底上的反射率层、过渡层、发射率层和导电层；其中，过渡层为Al2O3，厚度150nm～3μm；发射率层由依次沉积在过渡层上的SiO2内层和SiO2外层组成，SiO2外层的致密度高于SiO2内层；当150nm＜发射率层厚度＜750nm时，SiO2外层的厚度为150nm；当发射率层厚度≥750nm时，SiO2内层为发射率层厚度的80～90％，SiO2外层为发射率层厚度的10～20％；其中，采用孪生靶中频反应磁控溅射镀制发射率层，在工作气压为0.7～1.0Pa，溅射功率为6000～9000W下制备SiO2内层，在工作气压为0.2～0.7Pa，溅射功率为1000～6000W下制备SiO2外层。
2.如权利要求1所述的一种低应力耐湿热复合热控薄膜，其特征在于：所述发射率层的厚度为350nm～20μm。
3.如权利要求1所述的一种低应力耐湿热复合热控薄膜，其特征在于：所述反射率层为Al。
4.如权利要求1所述的一种低应力耐湿热复合热控薄膜，其特征在于：所述导电层为ITO。
5.一种如权利要求1～4任意一项所述的低应力耐湿热复合热控薄膜的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：
(1)使用离子源对工件表面进行活化处理，然后采用磁控溅射法在工件表面镀制反射率层；
(2)采用孪生靶中频反应磁控溅射镀制Al2O3过渡层；
(3)采用孪生靶中频反应磁控溅射镀制SiO2发射率层，其中在工作气压为0.7～1.0Pa，溅射功率为6000～9000W下制备SiO2内层，在工作气压为0.2～0.7Pa，溅射功率为1000～6000W下制备SiO2外层；
(4)采用直流磁控溅射方法镀制导电层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所，未经兰州空间技术物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910461825.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
