[发明专利]硅光芯片的测试方法及设备

说明书

本发明提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其将硅光晶圆固定在柔性膜上后对所述硅光晶圆进行切割，切割后得到的硅光芯片的相对位置不发生变化，再将硅光芯片及柔性膜整体移动至测试设备处进行测试，不需要多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的相对位置。本发明硅光芯片的测试方法省略了测试前多次放置硅光芯片及对准硅光芯片的步骤，测试时间大大缩短，测试效率大大提高。

技术领域

本发明涉及光电测试领域，尤其涉及一种硅光芯片的测试方法及设备。

背景技术

通常，硅光芯片需要将光作为输入源或输出源来测试光学器件或电路的光学或光电性能。

一种常见的将光耦合入硅光芯片或从硅光芯片中耦合出来的方法是使用光栅耦合器。硅光芯片的顶部设置光栅耦合器，光纤位于硅光芯片的上方，光纤传输的光通过光栅耦合器耦合到硅光芯片的光波导中或从光波导中耦合出来。然而，光栅耦合器具有光耦合损耗高、波长依赖性大等缺点。

另一种常见的将光耦合入硅光芯片或从硅光芯片中耦合出来的方法是使用光纤端面耦合器，硅光芯片的侧面设置光纤端面耦合器，光纤位于硅光芯片的侧面，光纤传输的光通过光纤端面耦合器耦合到硅光芯片的光波导中或从光波导中耦合出来。由于光纤端面耦合器具有非常低的耦合损耗，且对光的波长也不敏感，因此，光纤端面耦合器在硅光芯片中得到了广泛的应用。

对硅光芯片进行测试时，光纤需要从硅光芯片的侧面与光纤端面耦合器耦合，因此硅光芯片设置有光纤端面耦合器的侧面不能被遮挡，这导致带有光纤端面耦合器的硅光芯片只能进行芯片级(chip level)或条带级(bar level)测试。其缺点在于，每一个芯片或每一个条带取放及对准均需要花费时间，测试效率较低，测试时间较长。

因此，亟需一种新的硅光芯片的测试方法及设备，以克服上述缺点。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种硅光芯片的测试方法及设备，其能够大大缩短测试时间，大大提高测试效率。

为了解决上述问题，本发明提供了一种硅光芯片的测试方法，其包括如下步骤：硅光晶圆固定在柔性膜上，所述硅光晶圆包括多个硅光芯片单元，所述硅光芯片单元的至少一侧面具有用于光纤耦合的端面耦合区；切割所述硅光晶圆，形成多个硅光芯片，所述硅光芯片彼此独立地设置在所述柔性膜上，且所述硅光芯片的所述端面耦合区被暴露；自所述柔性膜侧推动至少一硅光芯片，使所述硅光芯片由第一位置移动至第二位置，在所述第二位置处，所述硅光芯片侧面的端面耦合区未被其他硅光芯片遮挡；对所述硅光芯片进行测试。

进一步，对所述硅光芯片进行测试的步骤包括如下步骤：将光纤与所述硅光芯片的端面耦合区进行光耦合，以进行光学测试。

进一步，对所述第硅光芯片进行测试的步骤还包括如下步骤：将光纤与所述硅光芯片的端面耦合区进行光耦合；至少一探针或探针卡与所述硅光芯片顶部的测试垫电接触，以进行电学测试。

进一步，对所述硅光芯片进行测试的步骤之后还包括如下步骤：复位所述硅光芯片，所述硅光芯片由所述第二位置移动至所述第一位置；自所述柔性膜侧推动至少一另一硅光芯片，使所述另一硅光芯片由所述第一位置移动至所述第二位置，在所述第二位置处，所述另一硅光芯片侧面的端面耦合区未被其他硅光芯片遮挡；对所述另一硅光芯片进行测试。

进一步，对所述硅光芯片进行测试的步骤之后还包括如下步骤：将测试合格的硅光芯片自所述柔性膜上取下。

进一步，所述第一位置与所述第二位置间的距离大于100微米。

本发明还提供一种实现上述的测试方法的测试设备，其包括：一推动装置，能够沿一第一方向移动，以带动所述硅光芯片在第一位置及第二位置之间移动；一测试装置，用于对所述硅光芯片进行测试。

进一步，所述推动装置还能够沿第二方向和/或第三方向移动，以使所述推动装置位于所述硅光芯片下方。