[发明专利]一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料及其制备方法

权利要求书

1.一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其步骤如下：

1)将PDMS单体和固化剂按8～12：1的重量比混合，搅拌均匀后真空干燥除去气泡，随后在50～100℃条件下固化1～3小时，得到PDMS样品膜；

2)取10～20mM锌盐的醇溶液50～100mL，向其中逐滴加入10～50mM碱的醇溶液30～60mL，得到的混合溶液在50～100℃的条件下加热搅拌1～3小时，得到ZnO种子溶液；然后将步骤1)得到的PDMS样品膜浸在该ZnO种子溶液里1～5min，使ZnO种子均匀致密地覆盖在PDMS样品膜表面，随后在50～100℃条件下加热30～60min，使PDMS与ZnO之间的结合力更强，得到固定有ZnO种子的PDMS样品膜；

3)取20～60mM锌盐的水溶液50～150mL，向其中加入20～60mM六次甲基四胺的水溶液50～100mL，室温下搅拌10～30min后将该混合溶液转移至反应釜中，并将步骤2)得到的固定有ZnO种子的PDMS样品膜浸入到该混合溶液中，在80～120℃条件下加热6～12小时，冷却至室温后用去离子水反复冲洗，干燥后得到PDMS-ZnO样品膜；

4)将步骤3)中得到PDMS-ZnO样品膜置于质量分数0.01～0.2％的含金酸的水溶液中，用质量分数1％～5％的碱的水溶液调节pH至7～10，室温条件下光照20～60min，反应结束后将样品膜取出后用去离子水反复清洗，干燥后得到PDMS-ZnO/Au杀菌材料。

2.如权利要求1所述的一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其特征在于：所述的锌盐为乙酸锌、硫酸锌、硝酸锌或氯化锌中的一种。

3.如权利要求1所述的一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其特征在于：所述的含金酸为氯金酸、氟金酸、乙酸金、氯[三(2，4-二叔丁基苯基)亚磷酸]金中的一种。

4.如权利要求1所述的一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其特征在于：所述的醇为甲醇、乙醇、乙二醇或丙三醇中的一种。

5.如权利要求1所述的一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其特征在于：所述的碱为氨水、氢氧化钠、碳酸钠、氢氧化钾、六次甲基四氨或三乙胺中的一种。

6.如权利要求1所述的一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料的制备方法，其特征在于：光照的光源为模拟太阳光、汞灯、氙灯或LED灯中的一种，光源的波长范围为200～800nm。

7.一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料，其特征在于：是由权利要求1～6任何一项所述的方法制备得到。