[发明专利]半导体基板结构体和功率半导体装置有效
| 申请号： | 201910462227.0 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110648977B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 前川拓滋;森本满;高村诚 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/14 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟海胜;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 板结 功率 装置 | ||
1.一种半导体基板结构体，包括：
基板；和
接合到所述基板的外延生长层，
其中，所述基板和所述外延生长层通过室温接合或扩散接合而接合，
所述基板和所述外延生长层经由接合界面层接合，
所述接合界面层包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种类型的非晶材料。
2.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述外延生长层包括选自包含IV族元素半导体、III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种。
3.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述外延生长层包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种。
4.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述基板包括选自包含烧结体、BN、AlN、Al2O3、Ga2O3、金刚石、碳和石墨的组中的至少一种或多种。
5.根据权利要求4所述的结构体，其中，所述烧结体包括选自包含IV族元素半导体、III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种类型的烧结体。
6.根据权利要求4所述的结构体，其中，所述烧结体包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种类型的烧结体。
7.根据权利要求1所述的结构体，其中，所述基板包括烧结体。
8.根据权利要求7所述的结构体，其中，所述烧结体包括选自包含IV族元素半导体、III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种类型的烧结体。
9.根据权利要求7所述的结构体，其中，所述烧结体包括选自包含碳化硅、氮化镓、硅、氮化铝和氧化镓的组中的至少一种或多种类型的烧结体。
10.根据权利要求7所述的结构体，其中，所述接合界面层进一步包括选自包含IV族元素半导体、III-V族化合物半导体和II-VI族化合物半导体的组中的至少一种或多种类型的非晶材料。
11.一种功率半导体装置，包括：
权利要求1所述的半导体基板结构体；和
选自包含SiC肖特基势垒二极管、SiC-MOSFET、SiC双极晶体管、SiC二极管、SiC晶闸管和SiC绝缘栅双极晶体管的组中的至少一种或多种。
12.一种功率半导体装置，包括：
权利要求1所述的半导体基板结构体；和
配置在所述外延生长层的表面上的第二金属电极，所述外延生长层的表面面对所述基板和所述外延生长层之间的接合面。
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