[发明专利]制造用于绝热耦合的器件的方法、对应的器件和系统有效
申请号: | 201910462310.8 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN110554459B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | M·A·肖;L·马吉;A·芬卡托 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | G02B6/122 | 分类号: | G02B6/122;G02B6/13;G02B6/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 用于 绝热 耦合 器件 方法 对应 系统 | ||
1.一种用于制造用于绝热耦合的器件的方法,包括:
提供半导体主体,所述半导体主体包括其中具有凹部分的表面,所述凹部分包括底表面,其中光学波导芯的第一阵列中的光学波导芯在所述底表面处并排延伸;
在光学波导芯的所述第一阵列之上提供光学波导芯的第二阵列,其中光学波导芯的所述第二阵列中的光学波导芯并排延伸,其中光学波导芯的所述第二阵列中的每个光学波导芯与光学波导芯的所述第一阵列中的对应的光学波导芯处于绝热耦合关系;以及
在光学波导芯的所述第二阵列之上施加光学波导包层材料,其中光学波导芯的所述第二阵列和施加在其上的所述光学波导包层材料提供光纤耦合接口。
2.根据权利要求1所述的方法,其中在光学波导芯的所述第一阵列之上提供光学波导芯的所述第二阵列包括通过打印、热压印、直接写入或光刻形成所述光纤耦合接口。
3.根据权利要求2所述的方法,其中在光学波导芯的所述第一阵列之上提供光学波导芯的所述第二阵列包括通过直接写入形成所述光纤耦合接口,并且其中提供光学波导芯的所述第二阵列包括:
在所述凹部分内局部沉积材料;以及
使用激光将光学波导芯的所述第二阵列中的每个光学波导芯直接写入到所述材料中。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述半导体主体的所述表面的边缘处提供所述凹部分,其中所述凹部分包括开口侧。
5.根据权利要求4所述的方法,其中:
提供所述半导体主体还包括提供前体半导体主体,所述前体半导体主体包括被布置为使所述凹部分在邻接平面处与互补半导体主体邻接的所述半导体主体,所述邻接平面在所述前体半导体主体中形成闭合周界的凹部分,其中所述第一光学波导芯的阵列中的光学波导芯在所述前体半导体主体中的所述闭合周界的凹部分的前体底表面处并排延伸,所述前体底表面包括所述底表面;并且
其中所述方法还包括在所述邻接平面处切断所述前体半导体主体以将所述半导体主体与所述互补半导体主体分离。
6.根据权利要求5所述的方法,其中在切断所述前体半导体主体之前,所述半导体主体和所述互补半导体主体以面对面的关系布置,其中所述凹部分和互补的凹部分在所述邻接平面处以所述面对面关系邻接,所述邻接平面形成所述前体半导体主体中的所述闭合周界的凹部分。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括将光纤的第三阵列耦合到光学波导芯的所述第二阵列,其中光纤的所述第三阵列被光学耦合到光学波导芯的所述第一阵列。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:
在所述半导体主体的所述表面的边缘处提供所述凹部分,其中所述凹部分包括开口侧,
其中耦合光纤的所述第三阵列包括将光纤的所述第三阵列中的每个光纤对接耦合到光学波导芯的所述第二阵列的对应的光学波导芯。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括将光电转换器耦合到光学波导芯的所述第二阵列,其中所述光电转换器被光学耦合到光学波导芯的所述第一阵列中的光学波导芯。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括在光学波导芯的所述第二阵列的端面处提供光反射表面,所述光反射表面为光学波导芯的所述第二阵列提供成角度的光学耦合路径。
11.根据权利要求10所述的方法,其中提供所述光反射表面包括:在光学波导芯的所述第二阵列的面向所述半导体主体的所述表面的边缘处的所述凹部分的开口侧的端面处提供所述光反射表面。
12.根据权利要求10所述的方法,还包括:在用于光学波导芯的所述第二阵列的所述成角度光学耦合路径中包括光束准直或聚焦光学器件。
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