[发明专利]超高频射频芯片的NVM快速编码系统

说明书

本发明公开了一种超高频射频芯片的NVM快速编码系统，所述芯片包括模拟电路模块、逻辑电路模块和NVM存储区模块，所述NVM快速编码系统包括标识位判断单元、最小写功率和最大写速度切换控制单元和输入电压监控单元；所述标识位判断单元包括设于NVM存储区模块的标识位EPC_Lock；所述最小功率和最大写速度切换控制单元根据标识位EPC_Lock的值来切换芯片的工作模式；所述输入电压控制单元设有用于监控任意工作模式下芯片写入电压的电压标识位vld_OK。本发明提供一种超高频射频芯片的NVM快速编码系统，能够适应不同应用环境和需求；同时配合输入电压监控单元，在高速写码的环境下对写码写入电压的监控，避免在写操作时产生字节写入失败的结果。

技术领域

本发明属于超高频射频芯片领域，具体涉及一种超高频射频芯片的NVM快速编码系统。

背景技术

随着物联网RFID(无线射频识别)超高频技术的发展，我们将面对越来越多的针对超高频数据的处理，例如零售、库存盘点等应用。因为应用场景以及应用需求的不同，对同一颗超高频标签芯片的写码速度、群读能力、读取距离等提出了不同的要求。同时，随着市场应用中对超高频RFID标签写码稳定性的要求越来越高，即使是0.1％的写码失败率也是需要不断提高和避免的。

在实际的海量超高频射频芯片的使用场景中，主要分为工厂级批量数据写入(最大写速度模式)及应用端单个个体数据写入(最小写功率模式)。在工厂级批量数据写入时，由于使用场景中写入功率可控，对批量写入速度要求高；在应用端单个个体数据写入时，使用场景的写入功率不可控，但对批量写入速度要求不高。目前市场上，所有的芯片，无法兼顾多方场景的使用需求。

因此，对同一颗超高频标签芯片对不同应用环境和需求的适应，以及对写码写入电压的监控，避免在写操作时产生字节写入失败，也就成了目前超高频RFID芯片的一个技术突破口。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是:提供一种超高频射频芯片的NVM快速编码系统，适应不同应用环境和需求；同时配合输入电压监控单元，在高速写码的环境下对写码写入电压的监控，避免在写操作时产生字节写入失败的结果。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：一种超高频射频芯片的NVM快速编码系统，所述芯片包括模拟电路模块、逻辑电路模块和NVM存储区模块，所述NVM快速编码系统包括标识位判断单元、最小写功率和最大写速度切换控制单元和输入电压监控单元；

所述标识位判断单元包括设于NVM存储区模块的标识位EPC_Lock，所述芯片通过标识位EPC_Lock的值来判断处于哪种工作模式；

所述最小写功率和最大写速度切换控制单元设于模拟电路模块，所述最小写功率和最大写速度切换控制单元根据标识位EPC_Lock的值来切换芯片的工作模式；

所述输入电压控制单元设于模拟电路模块，所述输入电压控制单元设有用于监控任意工作模式下芯片写入电压的电压标识位vld_OK。

进一步地说，所述工作模式包括最小写功率工作模式和最大写速度工作模式。

进一步地说，所述标识位EPC_Lock的值为1或0；

当标识位EPC_Lock的值为0时，芯片处于最大写速度模式；当标识位EPC_Lock的值为1时，芯片处于最小写功率模式。

进一步地说，所述电压标识位vld_OK的值为1或0；

执行写操作时，输入电压控制单元监控当前工作模式的写码写入电压，当所述电压标识位vld_OK的值为1时，芯片在当前工作模式写码成功；当所述电压标识位vld_OK的值为0时，芯片在当前工作模式写码失败。

进一步地说，所述模拟电路模块还包括用于维持芯片输入稳定电压的电源稳压电路。