[发明专利]一种用于减薄圆片的加固拿持结构及其制备方法

权利要求书

1.一种用于减薄圆片的加固拿持结构，其特征是包括薄片2和圆环形结构4，薄片2的一面和圆环形结构4固定连接，圆环形结构4外圆直径与薄片2直径相等，外径曲面完全对齐；所述薄片2厚度为20~2000um，材质为硅、锗硅、石英、玻璃、碳化硅、砷化镓、氮化镓、磷化铟、锑化铟、砷化铟、铌酸锂中的一种或几种。

2.根据权利要求1所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构，其特征是还包括固定层，所述固定层位于薄片2和圆环形结构4间，为有粘结性的薄膜、有机粘合剂或可形成共晶键合的金属，固定层厚度不大于减薄圆片厚度。

3.根据权利要求1所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构，其特征是所述薄片2直径为3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或16英寸。

4.根据权利要求1所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构，其特征是所述薄片2和圆环形结构4圆周可包含切边或“V”型切口。

5.制备如权利要求1所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的方法，其特征是包括如下步骤：

1）选取半导体工艺用圆片1，将圆片1减薄成薄片2；

2）选取平坦片状结构3，将其制备成圆环形结构4；其刚度和强度保证该环形结构4在一侧被水平拿持时，整个结构下垂变形量小于2毫米。

3）将圆环形结构4与减薄圆片2一面固定连接，保证两结构的外径曲面完全对齐。

6.根据权利要求4所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的制备方法，其特征是所述步骤1）中，圆片厚度为50~3000um，材质为硅、锗硅、石英、玻璃、碳化硅、砷化镓、氮化镓、磷化铟、锑化铟、砷化铟、铌酸锂中的一种或几种，且未做过光刻、电镀、刻蚀、腐蚀、金属化、淀积、外延、离子注入、减薄、键合工艺中的一种或多种工艺。

7.根据权利要求4所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的制备方法，其特征是所述步骤1）中，将圆片1减薄成薄片2所采用的方法为机械研磨、机械磨削、化学机械抛光、湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀中的一种或几种方法。

8.根据权利要求4所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的制备方法，其特征是所述步骤2）中，所述平坦片状结构3厚度50~3000um。

9.根据权利要求4所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的制备方法，其特征是所述步骤2）中，将平坦片状结构3制备成圆环形结构4所采用的方法为机械切割、激光切割、线切割、湿法腐蚀、干法等离子体刻蚀、机械磨削中的一种或几种方法，切割后圆环形结构4外圆直径等于薄片2直径，外圆形貌与薄片2外圆形貌一致。

10.根据权利要求4所述的一种用于减薄圆片的加固拿持结构的制备方法，其特征是所述步骤3）中，将圆环形结构4与减薄圆片2一面固定连接所采用的方法为涂覆粘结剂粘贴、使用双面有粘结性的膜粘贴、制备键合层键合、涂覆焊料焊接、制备合金层合金中的一种或几种方法；固定层材质为有粘结性的薄膜、有机粘合剂或可形成共晶键合的金属。