[发明专利]一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法有效
| 申请号： | 201910463282.1 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110211872B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张欢;苏世杰;陈绍光;蔡芬 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 叶春娜 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 低压 扩散 炉超温 现象 工艺 调试 方法 | ||
1.一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法，其特征在于：通过对低压扩散炉的工艺步骤预设温度进行阶梯式调试，使得扩散炉内各个温区升到目标温度的时间缩短、以及控制非炉口温区不会超过目标温度；
具体扩散工艺调试方法如下：
将扩散炉内依次分为五个温区，且第一温区设置为炉口温区、第五温区设置为炉尾温区；
Step1、开始：控制时间为5s，第一温区的预设温度为780℃，第二温区的预设温度为780℃，第三温区的预设温度为760℃，第四温区的预设温度为760℃，第五温区的预设温度为760℃；
Step2、进舟：控制时间为530s，第一温区的预设温度为780℃，第二温区的预设温度为780℃，第三温区的预设温度为760℃，第四温区的预设温度为760℃，第五温区的预设温度为760℃；
Step3、升温一：控制时间为220s，第一温区的预设温度为777℃，第二温区的预设温度为764℃，第三温区的预设温度为759℃，第四温区的预设温度为779℃，第五温区的预设温度为780℃；
Step4、升温二：控制时间为60s，第一温区的预设温度为777℃，第二温区的预设温度为764℃，第三温区的预设温度为759℃，第四温区的预设温度为779℃，第五温区的预设温度为780℃；
Step5、升温三：控制时间为60s，第一温区的预设温度为777℃，第二温区的预设温度为774℃，第三温区的预设温度为759℃，第四温区的预设温度为779℃，第五温区的预设温度为780℃；
Step6、氧化：控制时间为180s，第一温区的预设温度为777℃，第二温区的预设温度为774℃，第三温区的预设温度为769℃，第四温区的预设温度为779℃，第五温区的预设温度为780℃；
Step7、扩散沉积：时间为300s，第一温区的预设温度为777℃，第二温区的预设温度为774℃，第三温区的预设温度为769℃，第四温区的预设温度为779℃，第五温区的预设温度为780℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能（合肥）有限公司，未经通威太阳能（合肥）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910463282.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
