[发明专利]微波介质陶瓷器件及其制造方法

权利要求书

1. 一种微波介质陶瓷器件，包括：

陶瓷基材，其具有通槽和/或凹槽；和

金属层，其形成于所述陶瓷基材的表面、槽底和槽壁上，

其中，所述金属层与所述陶瓷基材之间的结合力为1kg/cm²以上，并且所述金属层的电阻率为1.80μΩ·cm以下。

2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述金属层包括附着于所述陶瓷基材的所述表面、槽底和槽壁上的金属打底层、以及附着于所述金属打底层上的金属加厚层。

3.根据权利要求2所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述金属打底层从内到外依次包括第一打底层和第二打底层，所述第一打底层和所述第二打底层是通过多弧离子镀形成的，并且具有20~200nm的厚度。

4.根据权利要求3所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述第一打底层由Cr、Ni、Ti、Mo、W、Sn以及它们的合金中的一种或多种组成，所述第二打底层由Ag、Cu、Au、Pt、Al以及它们的合金中的一种或多种组成。

5.根据权利要求3或4所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述金属打底层还包括通过磁控溅射形成于所述第二打底层上的第三打底层，所述第三打底层由与所述第二打底层相同的材料组成，并且具有1~3μm的厚度。

6.根据权利要求2所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述金属加厚层是通过电镀形成的Cu层，并具有4~40μm的厚度。

7.根据权利要求2所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，还包括位于所述陶瓷基材的所述表面、槽底和槽壁下方的掺杂层，所述金属打底层附着于所述掺杂层上，并且所述掺杂层的厚度为10nm以下。

8.根据权利要求3或4所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，还包括位于所述陶瓷基材的所述表面、槽底和槽壁下方的掺杂层，所述第一打底层附着于所述掺杂层上，其中所述掺杂层是通过离子注入形成的，并且由与所述第一打底层相同的材料组成。

9.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷器件，其特征在于，所述微波介质陶瓷器件包括陶瓷滤波器、陶瓷谐振器、陶瓷放大器、陶瓷振荡器、陶瓷混频器、陶瓷检波器和陶瓷天线，并且所述陶瓷基材包括Al₂O₃系、硅酸盐系、尖晶石型陶瓷、复合钙钛矿系、BaO-TiO₂系、(Zn，Sn)TiO₄系、BaO-TiO₂-Nb₂O₅系、BaO-Ln₂O₃-TiO₂系、铅基钙钛矿系、CaO-Li₂O-Ln₂O₃-TiO₂系的微波介质陶瓷。

10. 一种制造微波介质陶瓷器件的方法，包括：

对陶瓷基材进行前处理，所述陶瓷基材具有通槽和/或凹槽；和

在所述陶瓷基材的表面、槽底和槽壁上形成金属层，使得所述金属层与所述陶瓷基材之间的结合力为1kg/cm²以上，并且所述金属层的电阻率为1.80μΩ·cm以下。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述前处理包括：将所述陶瓷基材加热到一定温度，然后保持该温度进行霍尔源处理，使得处理后的所述陶瓷基材具有60dyn/cm以上的表面张力系数。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成金属层包括：通过多弧离子镀，利用第一材料在所述陶瓷基材的所述表面、槽底和槽壁上形成第一打底层，然后利用第二材料在所述第一打底层上形成第二打底层，其中，所述第一打底层和所述第二打底层构成金属打底层。