[发明专利]半导体封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：

重新布线层，具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层；

第一玻璃基板，位于所述重新布线层的第二表面；

金属连接柱，贯穿所述第一玻璃基板，且与所述金属连接层电性连接；

第一天线层，位于所述第一玻璃基板远离所述重新布线层的表面，所述第一天线层与所述金属连接柱电性连接，所述第一天线层包括至少一个天线；

第二玻璃基板，覆盖所述第一天线层；

第二天线层，位于所述第二玻璃基板远离所述第一天线层的表面，所述第二天线层包括至少一个天线；

透镜层，位于所述第二天线层的表面，所述透镜层包括至少一个透镜且所述透镜与所述第二天线层的天线对应设置；

金属凸块，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接；以及，

芯片，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述金属连接层电性连接。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层包括多个间隔分布的天线，所述半导体封装结构还包括位于所述第一天线层的所述天线之间的保护层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第二天线层包括多个间隔分布的天线，所述第一天线层与所述第二天线层包括的天线数量相同且所述第一天线层的天线与所述第二天线层的天线一一对应设置。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于：所述第一天线层上还具有对位标记，所述第一天线层和所述第二天线层通过所述对位标记对准。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体封装结构，其特征在于：所述透镜为凸透镜，所述透镜层还包括平面部，所述平面部覆盖所述第二天线层，所述凸透镜位于所述平面部表面且与所述第二天线层的天线一一对应设置。

6.一种半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供第一玻璃基板，所述第一玻璃基板具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，于所述第一玻璃基板的第一表面上形成重新布线层，所述重新布线层包括介质层及位于所述介质层内的金属连接层；

形成金属连接柱，所述金属连接柱贯穿所述第一玻璃基板且暴露于所述第一玻璃基板的第二表面，所述金属连接柱与所述金属连接层电性连接；

于所述第一玻璃基板的第二表面上形成第一天线层，所述第一天线层与所述金属连接柱电性连接，所述第一天线层包括至少一个天线；

提供第二玻璃基板，所述第二玻璃具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，于所述第二玻璃基板的第一表面形成第二天线层，所述第二天线层包括至少一个天线；

将形成有所述第一天线层的所述第一玻璃基板与形成有所述第二天线层的所述第二玻璃基板相贴合以得到贴合片，其中，所述第一天线层所在的面和所述第二玻璃基板的第二表面为贴合面；

提供表面形成有透镜的透镜层，将所述透镜层与所述贴合片相贴合，其中，所述第二天线层远离所述第二玻璃基板的表面和所述透镜层远离所述透镜的表面为贴合面，所述透镜与所述第二天线层的天线相对应；

提供芯片，将所述芯片键合于所述重新布线层远离所述第一玻璃基板的表面，所述芯片与所述金属连接层电性连接；

于所述重新布线层远离所述第一玻璃基板的表面形成金属凸块，所述金属凸块与所述金属连接层电性连接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在将所述芯片与所述重新布线层接合后形成填充于所述芯片与所述重新布线层之间的底部填充层的步骤。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，于所述第一玻璃基板的第二表面上形成第一天线层的步骤包括：

于所述第一玻璃基板的所述第二表面上形成第一天线金属层；

对所述第一天线金属层进行刻蚀以将所述第一天线金属层分隔成多个间隔分布的天线；

于所述第一天线层的所述天线之间的间隙内形成保护层。