[发明专利]应用于等离子体系统的方法及相关等离子体系统

权利要求书

1.一种应用于等离子体系统的方法，所述等离子体系统具有腔室、置于所述腔室内的下部电极、耦接至所述下部电极并用于实时检测工作件上方的射频电压值的传感器以及通过匹配电路耦接至所述下部电极的射频源，所述等离子体系统用于对置于所述下部电极上的所述工作件进行加工，其特征在于，包括:

启动所述射频源；

增加所述射频源的射频功率直到第一条件满足，并对应所述匹配电路的匹配器的默认位置于所述下部电极产生输出功率；及

当所述第一条件满足时，以第一趋势调整所述射频功率并以增加所述输出功率与所述射频功率的比值的第二趋势调整所述匹配电路来满足第二条件；

其中所述第一条件包括所述传感器依据所述射频电压值转换的直流电压值达到预设电压值或所述射频功率达到最大射频功率；

其中所述第二条件包括所述输出功率与所述射频功率的所述比值为最大且所述直流电压值达到所述预设电压值；

其中所述第一趋势包括以递减方式调整所述射频功率。

2.一种应用于等离子体系统的方法，所述等离子体系统具有腔室、置于所述腔室内的下部电极、耦接至所述下部电极并用于实时检测工作件上方的射频电压值的传感器以及通过匹配电路耦接至所述下部电极的射频源，所述等离子体系统用于对置于所述下部电极上的所述工作件进行加工，其特征在于，包括:

启动所述射频源；

增加所述射频源的射频功率，所述射频功率通过所述匹配电路的匹配器的默认位置于所述下部电极产生输出功率；及

当耦接至所述工作件的所述传感器依据所述射频电压值转换的直流电压值达到默认电压值或所述射频功率达到最大射频功率时，调整所述匹配电路的匹配器来增加所述输出功率与所述射频功率的比值，并且递减所述射频源的所述射频功率。

3.如权利要求2的方法，其特征在于，还包括:

当所述直流电压值达到所述默认电压值或所述射频功率达到所述最大射频功率时，递减所述射频源的所述射频功率。

4.如权利要求2的方法，其特征在于，还包括:

维持射频功率直至所述直流电压值大于所述默认电压值时，减少所述射频源的所述射频功率。

5.如权利要求3-4任意一项的方法，其特征在于，还包括:

当所述输出功率与所述射频功率的所述比值为最大且所述直流电压值达到所述默认电压值时，停止调整所述匹配电路的匹配器。

6.一种具有腔室的等离子体系统，用于对置于所述腔室内的工作件进行加工，其特征在于，包括:

下部电极，置于所述腔室内；

传感器，耦接至所述下部电极，其中所述传感器用于实时检测所述工作件上方的射频电压值；

射频源，耦接至所述下部电极；

匹配电路，耦接至所述射频源与所述下部电极之间，其中当所述射频源启动产生射频功率时，通过所述匹配电路的匹配器的默认位置于所述下部电极产生输出功率；及

控制电路，耦接至所述射频源与所述匹配电路，其中所述控制电路用于控制所述射频源来增加所述射频功率，直至第一条件满足后，以第一趋势调整所述射频功率并以增加所述输出功率与所述射频功率的比值的第二趋势调整所述匹配电路来满足第二条件；

其中所述第一条件包括所述传感器依据所述射频电压值转换的直流电压值达到预设电压值或所述射频功率达到最大射频功率；

其中所述第二条件包括所述输出功率与所述射频功率的所述比值为最大且所述直流电压值达到所述预设电压值；

其中所述第一趋势包括以递减方式调整所述射频功率。