[发明专利]化合物、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201910465095.7 | 申请日: | 2019-05-30 |
公开(公告)号: | CN110041357B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 张磊;高威;牛晶华;代文朋;林沙 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | C07F7/10 | 分类号: | C07F7/10;C07F7/08;H01L51/54;C09K11/06;C07F9/6596 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化合物 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本发明属于OLED技术领域并提供一种用作发光主体材料的化合物,其具有化学式(I)所示结构;其中,a和b分别表示电子给体D和电子受体A的个数且大于或等于1,c和d分别选自0、1或2;L1或L2优选单键或亚苯基;电子给体D优选咔唑基、二苯胺基、三苯胺基、吖啶基以及它们的衍生物基团;电子受体A选自含氮杂环类取代基、含氰基类取代基、三芳基硼类取代基和含磷氧基类取代基。本发明化合物中的D‑(π)‑σ‑(π)‑A结构具有双极性,σ键可有效打断电子给体D与电子受体A之间的分子内电荷传输,使激发态限制为D或A的片段内的局域激发态,因而使化合物具有小的激发态偶极矩,当其用作发光层主体材料时,可有效降低蓝光材料的效率滚降,提升发光亮度和发光效率。
技术领域
本发明涉及有机电致发光材料技术领域,具体地涉及一种用作OLED发光主体材料的化合物以及包含该化合物的显示面板以及显示装置。
背景技术
有机电致发光材料(OLED)作为新一代显示技术,具有超薄、自发光、视角宽、响应快、发光效率高、温度适应性好、生产工艺简单、驱动电压低、能耗低等优点,已广泛应用于平板显示、柔性显示、固态照明和车载显示等行业。
按发光机理,OLED发射的光可以分为电致荧光和电致磷光两种。荧光是单重态激子的辐射衰减跃迁所发射的光,磷光则是三重态激子辐射衰减到基态所发射的光。根据自旋量子统计理论,单重态激子和三重态激子的形成概率比例是1:3。荧光材料内量子效率不超过25%,外量子效率普遍低于5%;电致磷光材料的内量子效率理论上达到100%,外量子效率可达20%。1998年,我国吉林大学的马於光教授和美国普林斯顿大学的Forrest教授分别报道了采用锇配合物和铂配合物作为染料掺杂入发光层,第一次成功得到并解释了磷光电致发光现象,并开创性的将所制备磷光材料应用于电致发光器件。
由于磷光重金属材料有较长的寿命(μs),在高电流密度下,可能导致三线态-三线态湮灭和浓度淬灭,造成器件性能衰减,因此通常将重金属磷光材料掺杂到合适的主体材料中,形成一种主客体掺杂体系,使得能量传递最优化,发光效率和寿命最大化。在目前的研究现状中,重金属掺杂材料商业化已成熟,很难开发可替代的掺杂材料。因此,研发新的磷光主体材料成为了一个新的方向。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种具有D-(π)-σ-(π)-A结构的化合物,所述化合物具有化学式(I)所示的化学结构:
其中,D表示电子给体,A表示电子受体;其中,a和b分别表示电子给体D和电子受体A的个数且分别大于或等于1,c和d分别表示L1和L2的个数且分别选自0、1或2;
L1和L2各自独立地选自单键、取代或未取代的C1-C20亚烷基、取代或未取代的C3-C20亚环烷基、取代或未取代的C3-C20亚杂环基、取代或未取代的C6-C40亚芳基、取代或未取代的C4-C40亚杂芳基、取代或未取代的C10-C60的亚稠芳基或取代或未取代的C10-C60的亚稠杂芳基中的至少一种;当c或d为2时,各个L1或L2之间可以相同或不同;
电子给体D选自取代或未取代的C1-C20烷基、取代或未取代的C3-C20环烷基、取代或未取代的C1-C20烷氧基、取代或未取代的C3-C20杂环基、取代或未取代的C6-C40芳基、取代或未取代的C4-C40杂芳基、取代或未取代的C10-C60的亚稠芳基、取代或未取代的C10-C60的亚稠杂芳基、取代或未取代的C12-C40的咔唑基及其衍生物基团、取代或未取代的C12-C40的二苯胺基及其衍生物基团、取代或未取代的C18-C60的三苯胺基及其衍生物基团、C12-C40的吖啶基及其衍生物基团中的至少一种;
电子受体A选自含氮杂环类取代基、含氰基类取代基、三芳基硼类取代基和含磷氧基类取代基中的至少一种;当b大于1时,各个电子受体A之间可以相同或不同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司,未经武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910465095.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双生结构聚醚硅氧烷及制备方法
- 下一篇:一种粗单体分离工艺及系统