[发明专利]MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备

说明书

本申请公开了一种MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备。所述驱动电路包括单片机、半桥驱动线路、栅极电路、泄放电路和放电电路；所述半桥驱动线路包括带有死区时间控制的驱动芯片。所述驱动方法包括产生至少一组互补的正弦脉宽调制驱动信号，以及设定所述正弦脉宽调制驱动信号的死区时间；对所述一组互补的正弦脉宽调制驱动信号进行放大和转换；将放大和转换后的信号传输给所述MOS管以驱动所述MOS管；对所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电压放电；对所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电容放电。所述储能设备包括用于执行所述驱动方法的一个或多个程序。本申请可有效地控制半桥的工作，可降低异常情况下半桥的上下MOS管直接导通的风险。

技术领域

本申请涉及MOS管桥式电路技术领域，特别涉及一种MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备。

背景技术

新能源储能产品设有MOS管桥式电路，MOS管桥式电路包括H桥，H桥包括四个MOS管。新能源储能产品在工作的过程中需要驱动H桥。一般通过具有一对互补驱动输出端口的普通MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)执行软件的查表算法，来输出互补驱动信号。由包括两个三极管的反向控制线路将互补驱动信号进行反转后，通过驱动芯片对反转信号进行放大，从而产生两个使上下MOS管互补开通和关断的PWM(Pulse WidthModulation，脉冲宽度调制)波形。反向控制线路中的两个三极管的电流放大能力不同且开通和关断时间不一致，容易造成驱动芯片输出会同时开通和关断上下MOS管的互补驱动信号，从而造成H桥的上下MOS管直通，使得产品损坏。

以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本申请的发明构思及技术方案，其并不必然属于本申请的现有技术，在没有明确的证据表明上述内容在本申请的申请日已经公开的情况下，上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。

发明内容

本申请提出一种MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备，可有效地控制H桥的工作，可降低H桥的上下MOS管直接导通的风险。

在第一方面，本申请提供一种MOS管桥式电路的驱动电路，所述MOS管桥式电路包括至少一个半桥，所述半桥包括两个MOS管；

所述驱动电路包括单片机、半桥驱动线路、栅极电路、泄放电路和放电电路；所述半桥驱动线路包括带有死区时间控制的驱动芯片；

所述单片机可产生至少一组互补的正弦脉宽调制驱动信号，所述单片机可设定所述正弦脉宽调制驱动信号的死区时间；

所述半桥驱动线路可对所述一组互补的正弦脉宽调制驱动信号进行放大和转换；

所述栅极电路可将所述半桥驱动线路发出的信号传输给所述MOS管以驱动所述MOS管；

所述泄放电路连接所述MOS管的栅极与源极，用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电压放电；

所述放电电路连接所述MOS管的栅极与源极，用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电容放电。

在一些优选的实施方式中，所述栅极电路包括驱动电阻和二极管，所述驱动电阻的一端与所述驱动芯片的一个输出引脚连接，所述二极管的一端与所述驱动电阻的另一端连接，所述二极管的另一端与所述MOS管的栅极连接；所述泄放电路包括泄放电阻和三极管，所述三极管的基极连接至所述驱动电阻和二极管之间，所述三极管的发射极与所述泄放电阻的一端连接，所述三极管的集电极与所述MOS管的源极连接，所述泄放电阻的另一端与所述MOS管的栅极连接；所述放电电路包括连接在所述MOS管的栅极与源极之间的放电电阻。