[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910465345.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110379919B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高海霞;郭静姝;姜鹏飞;张真斐;蒋欣孜 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
选择衬底层；
在所述衬底层上生长第一电极；
在所述第一电极上生长阻变层；
在所述阻变层上生长若干第二电极；
将一侧的所述阻变层、所述第二电极刻蚀掉直至漏出所述第一电极，以完成所述阻变存储器的制备；
其中，在所述第一电极上生长阻变层，包括：
在所述第一电极上生长第一阻变层，生长所述第一阻变层的靶材为第一靶材；
在所述第一阻变层上生长第二阻变层，生长所述第二阻变层的靶材为所述第一靶材和第二靶材；
在所述第二阻变层上生长第三阻变层，生长所述第三阻变层的靶材为所述第一靶材；
所述第二靶材的材质与所述第二电极的材质相同；
其中，所述第一靶材的材质为Si3N4；所述第二靶材的材质为Ta、Ti、Mo或者Hf。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一电极上生长第一阻变层，包括：
利用射频磁控溅射工艺采用所述第一靶材在所述第一电极上生长所述第一阻变层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一阻变层上生长第二阻变层，包括：
利用射频磁控溅射工艺和直流磁控溅射工艺采用所述第一靶材和所述第二靶材在所述第一阻变层上共同溅射生长所述第二阻变层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二阻变层上生长第三阻变层，包括：
利用射频磁控溅射工艺采用所述第一靶材在所述第二阻变层上生长所述第三阻变层。
5.一种阻变存储器，其特征在于，按照自底向上依次包括：所述衬底层、所述第一电极、所述阻变层、所述第二电极，所述阻变层包括所述第一阻变层、所述第二阻变层、所述第三阻变层，所述阻变存储器由权利要求1～4任意一项所述的制备方法制备形成。
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