[发明专利]一种二维材料的氧掺杂改性方法

权利要求书

1.一种二维材料的氧掺杂改性方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（1）将二维材料置于激光直写系统中，用定位系统找到待改性区域；

（2）使用所述激光直写系统在步骤（1）所述待改性区域按照设定的图案进行激光直写，得到氧掺杂改性的二维材料；

步骤（2）中，所述图案为灰度图，根据所述灰度图的不同灰阶分别用不同能量的激光进行激光直写；

步骤（1）所述二维材料的化学式为MX₂，其中M为过渡金属，X为硫族元素且不为氧元素；

所述过渡金属包括Mo、W或Re中的任意一种或至少两种的组合；

所述硫族元素包括S、Se或Te中的任意一种或至少两种的组合。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述二维材料为二硫化钼。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述二维材料采用机械剥离和/或化学气相沉积的方法制备得到。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述二维材料位于基底上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基底包括SiO₂/Si基底、Si基底或石英玻璃基底中的任意一种或至少两种的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述二维材料置于激光直写系统的载物台上。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤（1）中，将所述二维材料转移到基底上后，再将载有二维材料的基底置于激光直写系统的载物台上。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述载物台带有移动系统。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述移动系统的移动精度在10 nm以下。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述移动系统与定位系统配合使用。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述定位系统为CCD相机。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述定位系统集成于激光直写系统中。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述激光直写系统为激光直写光刻机。

14.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述灰度图的灰阶为0-255。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用画图软件获得所述灰度图。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述画图软件包括CorelDRAW画图软件。

17.根据权利要求1所述方法，其特征在于，采用固定激光脉宽改变功率的方法调节激光能量或采用固定功率改变激光脉宽的方法调节激光能量。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，采用固定激光脉宽改变功率的方法调节激光能量。

19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，固定激光脉宽改变功率时，根据所述灰度图的不同灰阶分别用不同功率的激光进行激光直写，且激光功率随着灰阶变大成线性增大，0灰阶无激光输出，255灰阶激光满功率输出。

20.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述激光直写的功率为0-300mW。