[发明专利]一种偏振线栅及其制作方法有效

申请号：	201910465634.7	申请日：	2019-05-30
公开（公告）号：	CN112014916B	公开（公告）日：	2022-06-21
发明（设计）人：	李玉龙	申请（专利权）人：	上海微电子装备(集团)股份有限公司
主分类号：	G02B5/30	分类号：	G02B5/30
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	孟金喆
地址：	201203 上海市浦***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	一种偏振及其制作方法
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【说明书】：

本发明实施例提供一种偏振线栅及其制作方法，偏振线栅包括：基底；栅格膜层，位于所述基底的一侧，所述栅格膜层包括多个等宽等距且平行排列的线栅单元，所述线栅单元沿第一方向延伸；所述栅格膜层用于吸收偏振方向平行于所述第一方向的光，还用于透过偏振方向垂直于所述第一方向的光；所述栅格膜层包括锌铬碲材料或者砷化镓材料。本发明实施例提供一种偏振线栅及其制作方法，以实现提供硬度更大的半导体材料的偏振线栅，本发明实施例提供的偏振线栅在深紫外波段具有大的消光比。

技术领域

本发明实施例涉及光刻技术，尤其涉及一种偏振线栅及其制作方法。

背景技术

偏振光栅在诸多领域里面使用，例如液晶显示面板中的偏光板，光刻设备光路中的偏振产生器件等。偏振线栅作为偏振光栅中的一种，相对于其他偏振器件，具有起偏入射角大，消光比大，起偏波长范围广等优点。

现有技术中，常用的偏振线栅采用金属铝材料制作，这是由于铝具有较大的消光系数k，当入射光的偏振方向与纳米线方向平行时(S光)，电场的震荡会激发铝表面自由电子的震荡，从而吸收电场能量，光线不能透过，当入射光方向与纳米线方向垂直时(P光)，由于纳米线宽度方向形成势垒，自由电子的震荡受限，因此无法吸收入射光电场能量，从而使光透过。但是铝材料质软，大深宽比、小线宽的铝容易倒塌，并且铝材料在室温下会在其表面氧化形成一层钝化膜，从而使铝材料的线栅性能进一步退化。

发明内容

本发明实施例提供一种偏振线栅及其制作方法，以实现提供硬度更大的半导体材料的偏振线栅，本发明实施例提供的偏振线栅在深紫外波段具有大的消光比。

第一方面，本发明实施例提供一种偏振线栅，包括：

基底；

栅格膜层，位于所述基底的一侧，所述栅格膜层包括多个等宽等距且平行排列的线栅单元，所述线栅单元沿第一方向延伸；所述栅格膜层用于吸收偏振方向平行于所述第一方向的光，还用于透过偏振方向垂直于所述第一方向的光；所述栅格膜层包括锌铬碲材料或者砷化镓材料。

可选地，所述栅格膜层包括锌铬碲材料；所述锌铬碲材料中，锌、铬、碲的摩尔数之比为3：7：10。

可选地，相邻两个所述线栅单元的中心之间的距离为线栅周期T，90nm＜T＜110nm；

所述线栅单元垂直于所述第一方向的宽度为D，30nm＜D＜50nm；

所述线栅单元远离所述基底一侧的表面与所述线栅单元临近所述基底的表面之间的距离为所述线栅单元的深度H，所述线栅单元的深宽比满足：3＜H/D＜6。

可选地，所述偏振线栅在波长大于240nm且小于260nm波段内的消光比大于100；

消光比为最大透过光强与最小透过光强之比。

可选地，所述偏振线栅在波长为248nm下的消光比大于250。