[发明专利]柔性显示基板及其制造方法

权利要求书

1.一种柔性显示基板的制造方法，包括：

在包括显示区和弯折区的柔性衬底基板上形成第一绝缘层，所述第一绝缘层至少覆盖所述柔性显示基板的弯折区；

在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成半导体材料层，并对该半导体材料层进行构图工艺以在所述显示区中形成薄膜晶体管的有源层；

在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于所述弯折区中；

在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成覆盖所述刻蚀阻挡层的第二绝缘层；以及

通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口，使得所述第一开口和所述第二开口均位于所述弯折区中，并且所述第一开口在所述柔性衬底基板上的正投影落入所述第二开口在所述柔性衬底基板上的正投影内，以在所述第一开口与所述第二开口的连接位置形成台阶部，

其中，在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：

在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧依次形成栅极绝缘层和栅极材料层；以及

在所述栅极材料层上执行一次构图工艺，以形成薄膜晶体管的栅极和所述刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口包括：

使用刻蚀气体刻蚀所述第二绝缘层，以在所述第二绝缘层中形成所述第二开口，使得所述第二开口暴露所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层；以及

使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层，以在所述第一绝缘层中形成第一开口，

其中，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率小于所述刻蚀气体对所述第一绝缘层的刻蚀速率。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率为零。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其中，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：

使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分；

使用所述刻蚀气体刻蚀掉所述刻蚀阻挡层；以及

使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层的一部分。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，使用所述刻蚀气体刻蚀被所述第二开口暴露的所述第一绝缘层的一部分和所述刻蚀阻挡层以在所述第一绝缘层中形成第一开口具体包括：

使用所述刻蚀气体刻蚀掉被所述第二开口暴露且未被所述刻蚀阻挡层覆盖的所述第一绝缘层的一部分；以及

保留所述刻蚀阻挡层以及被所述刻蚀阻挡层覆盖的第一绝缘层。

6.根据权利要求2或4所述的制造方法，其中，在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：

在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧形成至少2条间隔设置的刻蚀阻挡线。

7.根据权利要求3或5所述的制造方法，其中，在所述有源层远离所述柔性衬底基板的一侧形成刻蚀阻挡层具体包括：

在所述第一绝缘层远离所述柔性衬底基板的一侧形成多个间隔设置的岛状的刻蚀阻挡部。

8.根据权利要求2或4所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体包括六氟化硫和氧气。

9.根据权利要求3或5所述的制造方法，其中，所述刻蚀气体包括四氟化碳和氧气。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的制造方法，还包括：在所述第一开口和所述第二开口中分别形成导电走线。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，在通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中分别形成第一开口和第二开口的同时，还在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中形成多个过孔。