[发明专利]Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法

权利要求书

1.一种Al-Sc-Sb-Te相变材料，其特征在于，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料的化学通式为(AlSc₂)_x(Sb₂Te)_y，其中，0x≤1，0y≤1，且x+y=1；所述Al-Sc-Sb-Te相变材料是通过AlSc₂合金靶和Sb₂Te合金靶共溅射制备，其中本底真空度小于3.0×10^-4Pa，溅射气体包含氩气，溅射压强介于0.40Pa~0.45Pa之间，溅射温度包含室温，溅射时间介于10~30分钟之间，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料的化学式(AlSc₂)_x(Sb₂Te)_y中，0.11≤x≤0.19，0.81≤y≤0.89，通过调节AlSc₂的含量控制Al-Sc-Sb-Te相变材料的性能。

2.根据权利要求1所述的Al-Sc-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Al-Sc-Sb-Te相变材料在电脉冲信号操作下能够实现高低阻值的可逆转换，且在没有电脉冲信号操作下阻值保持不变。

3.根据权利要求1所述的Al-Sc-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Al-Sc-Sb-Te相变材料在电脉冲作用下存在至少两个稳定的电阻态。

4.根据权利要求1所述的Al-Sc-Sb-Te相变材料，其特征在于：所述Al-Sc-Sb-Te相变材料为相变薄膜材料，所述Al-Sc-Sb-Te相变材料的厚度介于50nm~200nm之间。

5.一种相变存储器单元，其特征在于，所述相变存储器单元至少包括下电极层、上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层，所述相变材料层包括如权利要求1~4任一项所述的Al-Sc-Sb-Te相变材料。

6.一种相变存储器单元的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：

制备下电极层；

在所述下电极层上制备相变材料层，所述相变材料层包括如权利要求1~4任一项所述的Al-Sc-Sb-Te相变材料；

在所述相变材料层上制备上电极层。