[发明专利]制造集成电路的方法和设计集成电路的计算系统

说明书

提供了一种制造集成电路的方法和一种设计集成电路的计算系统。一种制造其中设置有半导体器件的集成电路的方法包括：根据接收到的工艺变量，通过使用包括多个模型参数的模型参数文件，对半导体器件的电特性进行仿真，基于仿真的结果生成布局数据，以及根据基于布局数据的半导体器件布局制造集成电路，其中，多个模型参数以关于工艺变量的至少一个函数的形式存储在模型参数文件中。

相关申请的交叉引用

本申请要于2018年6月29日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0075658的优先权，其全部公开内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明构思的各种示例实施例涉及用于通过基于所提取的模型参数对半导体器件的特性进行分析来设计集成电路的计算系统、其设备，使用该计算系统制造集成电路的方法，和/或其非暂时性计算机可读介质。

背景技术

随着半导体器件变得度高集成和小型化，已经组合了用于设计和制造半导体器件的工艺中的因素，这导致了半导体器件的各种非预期的电特性。因此，为了克服半导体工艺和器件的局限性、了解现象并降低实验成本，半导体工业对基于物理仿真的技术计算机辅助设计(TCAD)工艺-器件仿真环境的需求日益增加。另外，为了提供半导体器件产品的精确规格，需要预测和仿真半导体器件的特性。

发明内容

根据本发明构思的各种示例实施例提供了一种用于设计集成电路的计算系统、所述计算系统的设备、通过使用所述计算系统制造集成电路的方法和/或所述计算系统的非暂时性计算机可读介质，所述计算系统能够通过反映用于制造半导体器件的不同处理条件，精确地预测包括在集成电路中的半导体器件的电特性。

根据本发明构思的至少一个示例实施例的一方面，提供了一种制造其中设置有半导体器件的集成电路的方法，所述方法包括：使用至少一个处理器，根据至少一个接收到的工艺变量，使用包括多个模型参数的模型参数文件，对所述半导体器件的特性进行仿真，所述多个模型参数对应于与所述至少一个工艺变量相关联的函数；使用所述至少一个处理器，基于所述仿真的结果生成半导体器件布局数据；以及根据基于所述半导体器件布局数据的半导体器件布局，制造所述集成电路。

根据本发明构思的至少一个示例实施例的另一方面，提供了一种制造集成电路的方法，所述方法包括：使用至少一个处理器，基于对包括在所述集成电路中的半导体器件进行建模的结果，生成包括多个模型参数的模型参数文件，生成所述模型参数文件包括：接收第一半导体器件的第一特性数据，所述第一特性数据对应于所述第一半导体器件的第一内部条件，接收第二半导体器件的第二特性数据，所述第二特性数据对应于所述第二半导体器件的第二内部条件，提取与所述第一内部条件对应的多个第一点模型参数，基于所述第一内部条件、所述第二内部条件、所述第一特性数据的值和所述第二特性数据的值，提取与所述第二内部条件对应的多个第二点模型参数，以及基于所述多个第一点模型参数和所述多个第二点模型参数，计算与所述第一内部条件和所述第二内部条件之间的区间相对应的区间模型参数；使用所述至少一个处理器，根据接收到的工艺变量，基于所述模型参数文件，对所述半导体器件的特性进行仿真；使用所述至少一个处理器，基于所述仿真的结果生成半导体器件布局数据；以及根据基于所述半导体器件布局数据的半导体器件布局，制造所述集成电路。

根据本发明构思的至少一个示例实施例的另一方面，提供了一种用于设计集成电路的计算系统，所述计算系统包括：存储器，被配置为存储用于提取包括在所述集成电路中的半导体器件的特性的电路仿真程序以及包括多个模型参数的模型参数文件，所述多个模型参数包括作为常数的多个第一点模型参数和被提供为与至少一个工艺变量有关的函数的多个区间模型参数；以及至少一个处理器，被配置为访问所述处理器以及运行所述电路仿真程序，所述电路仿真程序使得所述至少一个处理器执行如下操作：接收与所述至少一个工艺变量有关的信息，从所述模型参数文件中确定与所述至少一个工艺变量的值相对应的模型参数，以及基于所确定的模型参数，输出包括所述半导体器件的特性的特性数据。

附图说明