[发明专利]用于电感继电器的驱动电路和快速退磁方法有效
申请号: | 201910466619.4 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110265262B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 李淼;袁廷志;徐京伟 | 申请(专利权)人: | 昂宝电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01H47/32 | 分类号: | H01H47/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电感 继电器 驱动 电路 快速 退磁 方法 | ||
1.一种用于电感继电器的驱动电路,所述驱动电路包括:
驱动控制电路,用于在输出驱动端口之间提供输出驱动电压,其中,所述驱动控制电路包括PMOS管和第一NMOS管,其用于基于所述驱动控制电路的控制信号使得内部电源电压或接地端电压通过第一保护电阻施加到第二NMOS管的栅极,所述第二NMOS管的源极连接至接地端,并且所述第二NMOS管的漏极连接至漏极开路端子;以及
快速退磁电路,包括稳压器件,所述快速退磁电路的一端连接至所述驱动控制电路的所述第一保护电阻和所述第二NMOS管的栅极,另一端连接至所述驱动控制电路的所述漏极开路端子,并且其中,所述快速退磁电路用于维持钳位电压以进行快速退磁。
2.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述稳压器件包括串联连接的一个或多个齐纳二极管。
3.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述稳压器件包括栅极和漏极串联连接的一个或多个NMOS管或PMOS管。
4.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述快速退磁电路还包括一个或多个钳位分压电阻,所述一个或多个钳位分压电阻与所述稳压器件以可调整的顺序串联连接。
5.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述快速退磁电路还包括一个或多个二极管,所述一个或多个二极管与所述稳压器件以可调整的顺序串联连接。
6.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述驱动电路的至少一部分位于集成芯片内。
7.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述驱动电路的至少一部分是片外分立器件。
8.根据权利要求1所述的驱动电路,其中,所述快速退磁电路还包括钳位分压电阻和二极管,并且所述稳压器件包括齐纳二极管,并且其中,所述钳位分压电阻的一端连接至所述漏极开路端子,所述钳位分压电阻的另一端连接至所述二极管的正端,所述二极管的负端连接至所述齐纳二极管的负端,所述齐纳二极管的正端连接至所述第一保护电阻和所述第二NMOS管的栅极。
9.一种用于如权利要求1所述的电感继电器的驱动电路的快速退磁方法,包括:
使得所述驱动控制电路的漏极开路端子经由快速退磁电路、所述驱动控制电路的第一保护电阻和第一NMOS管与接地端连接以形成钳位通路;
使得所述漏极开路端子的电压抬高至所述驱动控制电路的外部电源端子的电压与钳位电压之和;以及
使用所述快速退磁电路来维持所述钳位电压以进行快速退磁。
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