[发明专利]附加结构与顶电极分离的体声波谐振器、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极，设置在基底上方；

顶电极，具有电极连接部；和

压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，

其中：

所述谐振器还包括附加结构，所述附加结构设置在顶电极的边缘且顶电极与附加结构之间具有间隙；

所述谐振器还包括不导电材料层，所述不导电材料层填充所述间隙且覆盖所述附加结构的至少一部分和/或所述顶电极的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层从附加结构和顶电极的上方覆盖附加结构与顶电极。

3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层完全覆盖所述顶电极以及所述附加结构。

4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层为钝化层。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层在所述间隙处形成有凹陷。

6.根据权利要求3或4所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层的顶面平齐。

7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述附加结构的下侧具有第一空隙，顶电极边缘的下侧具有第二空隙，所述第一空隙、第二空隙和所述间隙形成倒T形的空隙结构；且

所述不导电材料层至少填充所述空隙结构中的横向部分对应的空间。

8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：

所述附加结构为第一凸起结构，所述顶电极的边缘设置有第二凸起结构；且

第一凸起结构的跨接宽度以及第二凸起结构的跨接宽度均在1-3μm的范围内。

9.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：

所述顶电极的边缘设置有顶电极凸起结构，所述顶电极凸起结构与所述附加结构之间形成所述间隙。

10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：

所述附加结构为凸起结构；且

所述顶电极的凸起结构的厚度与所述附加结构的凸起结构的厚度相同。

11.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：

所述附加结构为凸起结构。

12.根据权利要求1或11所述的谐振器，其中：

所述附加结构的宽度大于2μm。

13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：

所述附加结构的宽度大于5μm。

14.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：

所述附加结构为凸起结构与凹陷结构的组合，其中附加结构的凹陷结构在附加结构的凸起结构的内侧。

15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：

所述不导电材料层完全覆盖所述顶电极以及所述附加结构。

16.根据权利要求14所述的谐振器，其中：

附加结构的凹陷结构的厚度与所述顶电极的厚度相同；且

所述附加结构的凹陷结构的宽度在1-3μm的范围内。

17.根据权利要求1-16中任一项所述的谐振器，其中：

所述间隙的宽度在0.1μm-0.5μm的范围内。

18.根据权利要求17所述的谐振器，其中：

所述间隙的宽度范围为0.1-2μm。