[发明专利]一种基于SVM的区域电离层模型补偿方法有效

专利信息
申请号: 201910467899.0 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110208824B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 潘树国;张正协;高成发;高旺;喻国荣;赵涛 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G01S19/07 分类号: G01S19/07;G01S19/41
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 孟红梅
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 svm 区域 电离层 模型 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种基于SVM的区域电离层模型补偿方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)根据CORS站观测值获得信号穿刺点处电离层VTEC值和穿刺点经纬度,建立区域电离层多项式模型;

(2)使用多项式模型求解各穿刺点的VTEC模型值和模型值残差;

(3)建立SVM模型,将穿刺点经纬度、VTEC模型值作为SVM模型输入参数,VTEC模型值残差作为输出参数,构建学习样本数据进行训练建模;

(4)利用训练好的SVM模型计算模型残差补偿值,结合VTEC多项式模型值得到VTEC预测值;

所述步骤(1)中建立区域电离层VTEC多项式模型,求解模型参数,表示为:

式中,VTECobs表示CORS站实际VTEC观测值,v表示拟合误差,ai,k(i=0,1,2;k=0,1,2)表示待定的多项式模型参数,和λ分别表示GNSS信号电离层穿刺点的地理纬度和经度,和λ0分别表示测区中心点的地理纬度和经度;

所述步骤(2)中使用多项式模型求解各穿刺点的VTEC观测值和模型值残差,表示为:

ErrPOLY=VTECobs-VTECPOLY

式中,VTECPOLY表示多项式模型值,ErrPOLY表示多项式模型残差;

所述步骤(3)中构建学习样本数据进行SVM训练,表示为:

式中,FSVM表示待求的SVM回归模型函数,和Δλ=λ-λ0为穿刺点位置参数;

所述步骤(3)中SVM的非线性拟合函数f和回归目标函数为:

式中,x表示学习样本的特征值,ω和b表示回归模型系数,表示特征值映射函数,min表示求最小值,||ω||表示矩阵L2范数,C表示惩罚系数,N表示学习样本数量,ξ-和ξ+表示松弛因子;

所述步骤(4)利用训练好的SVM模型计算模型残差补偿值,结合VTEC多项式模型值得到补偿后的VTEC值VTECSVM-P

VTECSVM-P=VTECPOLY+ErrSVM

式中,ErrSVM表示使用训练好的SVM模型计算得到的VTEC模型残差补偿值。

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