[发明专利]无电镀铜组合物和用于在基材上无电镀铜的方法

权利要求书

1.一种无电镀铜组合物，其包含一种或多种铜离子源，选自1-丁基吡啶鎓氯化物和1-(4-吡啶基)吡啶鎓氯化物的一种或多种吡啶鎓化合物，一种或多种络合剂，一种或多种还原剂，和任选地一种或多种pH调节剂，其中所述无电镀铜组合物的pH大于7。

2.如权利要求1所述的无电镀铜组合物，其中所述一种或多种吡啶鎓化合物的量为至少0.5 ppm。

3.如权利要求1所述的无电镀铜组合物，其中所述一种或多种络合剂选自酒石酸钾钠，酒石酸钠，水杨酸钠，乙二胺四乙酸的钠盐，氮川乙酸及其碱金属盐，葡萄糖酸，葡萄糖酸盐，三乙醇胺，改性乙二胺四乙酸，S,S-乙二胺二琥珀酸，乙内酰脲和乙内酰脲衍生物。

4.如权利要求1所述的无电镀铜组合物，其中所述一种或多种还原剂选自醛、硼氢化物、取代的硼氢化物、硼烷、糖和次磷酸盐。

5.如权利要求1所述的无电镀铜组合物，其还包含一种或多种选自辅助促进剂、晶粒细化剂和稳定剂的化合物。

6.一种无电镀铜方法，其包括：

a)提供包含电介质的基材；

b)将催化剂施加到所述包含电介质的基材上；

c)将无电镀铜组合物施加到所述包含电介质的基材上，其中所述无电镀铜组合物包含一种或多种铜离子源，选自1-丁基吡啶鎓氯化物和1-(4-吡啶基)吡啶鎓氯化物的一种或多种吡啶鎓化合物，一种或多种络合剂，一种或多种还原剂，和任选地一种或多种pH调节剂，其中所述无电镀铜组合物的pH大于7；并且

d)用所述无电镀铜组合物在所述包含电介质的基材上无电镀铜。

7. 如权利要求6所述的方法，其中所述一种或多种吡啶鎓化合物的量为至少0.5 ppm。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述无电镀铜组合物进一步包括一种或多种选自稳定剂和辅助促进剂的化合物。

9. 如权利要求6所述的方法，其中所述无电镀铜组合物处于40 ℃ 或更低温度下。

10.如权利要求6所述的方法，其中所述催化剂是钯催化剂。