[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个栅电极，所述多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠并且彼此间隔开，所述多个栅电极在一个方向上以彼此不同的长度延伸以提供多个接触区域，并且所述多个栅电极中的每一个栅电极具有导电区域和绝缘区域；以及

多个接触栓，所述多个接触栓填充在所述接触区域中穿过堆叠在所述衬底上的全部所述多个栅电极的接触孔，所述多个接触栓连接到所述多个栅电极，

其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓穿过所述多个栅电极中的一个栅电极的导电区域并电连接到所述一个栅电极，并且穿过所述多个栅电极中的其他栅电极的多个绝缘区域，以及

其中，所述多个栅电极中的每一个栅电极的绝缘区域设置在所述多个栅电极与所述多个接触栓相交的区域中的所述接触孔的外部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个栅电极中的每一个栅电极的绝缘区域具有至少部分地围绕所述多个接触栓中对应的接触栓的环形，并且所述多个栅电极中的每一个栅电极的导电区域至少部分地围绕该栅电极的绝缘区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓通过其外侧表面与所述多个栅电极中对应的栅电极接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个层间绝缘层，所述多个层间绝缘层与所述多个栅电极交替堆叠在所述衬底上，

其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓以基本相同的宽度，穿过所述多个栅电极中的一个栅电极并且穿过所述多个层间绝缘层中与所述多个栅电极中对应的栅电极接触的至少一个层间绝缘层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓的宽度等于所述接触孔的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓穿过所述多个栅电极中最下面的栅电极的至少一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触栓中的至少一部分接触栓穿过所述多个栅电极中的一部分栅电极，而不穿过所述多个栅电极中邻近所述衬底的至少一个栅电极。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓在与所述多个栅电极接触的区域中具有向外朝向所述导电区域和所述绝缘区域突出的区域。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

多个层间绝缘层，所述多个层间绝缘层与所述多个栅电极交替堆叠在所述衬底上，

其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓穿过所述多个层间绝缘层，并且以所述多个接触栓与所述多个层间绝缘层之间的界面为基准，所述多个接触栓与所述多个栅电极的多个绝缘区域之间的界面位于外侧。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个接触栓的不同部分在垂直于所述衬底的上表面的方向上具有不同的长度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

衬底绝缘层，所述衬底绝缘层设置在所述多个接触栓中的每一个接触栓与所述衬底之间，以将所述多个接触栓与所述衬底分隔开。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

源极导电层，所述源极导电层穿过所述多个栅电极并沿一个方向延伸，其中，所述源极导电层的上表面与所述多个接触栓的上表面位于基本相同的高度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述一个栅电极的导电区域的相邻边缘到所述接触孔中对应的接触孔的距离不同于从所述其他栅电极中的每个栅电极的导电区域的相邻边缘到所述接触孔中对应的接触孔的距离。