[发明专利]放射线检测器

权利要求书

1.一种放射线检测器，其中，

具备：

溴化铊结晶体，具有第1电极设置面和与所述第1电极设置面相对的第2电极设置面，

第1电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第1电极设置面上，以及

第2电极，设置于所述溴化铊结晶体的所述第2电极设置面上；

所述第1及第2电极中的至少所述第1电极具有第1合金层，该第1合金层具有第1层面和第2层面，其中，所述第1层面面对于所述第1电极设置面，所述第2层面相对于所述第1层面位于所述第1电极设置面的相反侧，所述第1合金层由金属铊和与所述金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成，

所述第1电极在与读出电路基板的垫片电连接的状态下，安装于所述读出电路基板上。

2.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，

所述第1电极还具有第1低电阻金属层，所述第1低电阻金属层设置于所述第1合金层的所述第2层面上，且由具有较所述第1合金层更低的电阻值的金属构成，

所述第1低电阻金属层与所述读出电路基板的垫片电连接。

3.如权利要求2所述的放射线检测器，其中，

所述第1低电阻金属层由金构成。

4.如权利要求3所述的放射线检测器，其中，

所述第1电极包含具有导电性的第1中间层，

该第1中间层设置于所述第1合金层的所述第2层面与所述第1低电阻金属层之间。

5.如权利要求4所述的放射线检测器，其中，

所述第1中间层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。

6.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，

所述第1电极包含具有导电性的第1基底层，

该第1基底层设置于所述溴化铊结晶体的所述第1电极设置面与所述第1合金层的所述第1层面之间，用于提高所述溴化铊结晶体与所述第1合金层的附着力。

7.如权利要求6所述的放射线检测器，其中，

所述第1基底层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。

8.如权利要求1～7中任一项所述的放射线检测器，其中，

作为与所述金属铊一起构成合金的金属元素，所述第1电极中的所述其他金属包含选自铅、银、铋及铟的组中的任意的金属。

9.如权利要求1所述的放射线检测器，其中，

所述第2电极具有第2合金层，该第2合金层具有第1层面和第2层面，其中，所述第1层面面对于所述第2电极设置面，所述第2层面相对于所述第2合金层的第1层面位于所述第2电极设置面的相反侧，所述第2合金层由金属铊和与所述金属铊不同的1种以上的其他金属的合金构成。

10.如权利要求9所述的放射线检测器，其中，

所述第2电极还具有第2低电阻金属层，所述第2低电阻金属层设置于所述第2合金层的所述第2层面上，且具有较所述第2合金层的电阻值更低的电阻值。

11.如权利要求10所述的放射线检测器，其中，

所述第2低电阻金属层由金构成。

12.如权利要求10所述的放射线检测器，其中，

所述第2电极包含具有导电性的第2中间层，

该第2中间层设置于所述第2合金层的所述第2层面与所述第2低电阻金属层之间。

13.如权利要求12所述的放射线检测器，其中，

所述第2中间层由选自铬、镍及钛的组中的任意的金属构成。