[发明专利]加热片及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种加热片，其特征在于，包括：

基体，所述基体包括：

下基板层；

下绝缘层，所述下绝缘层设在所述下基板层上；

电极，所述电极设在所述下绝缘层上，并且所述电极包括相连的引线电极和加热电极；

上绝缘层，所述上绝缘层设在所述电极上，且所述上绝缘层上设有第一开孔；

上基板层，所述上基板层设在所述上绝缘层上，且所述上基板层上设有第二开孔，所述第二开孔与所述第一开孔相连；

接触电极，所述接触电极设在所述上基板层上，且所述接触电极依次通过所述第二开孔、所述第一开孔与所述引线电极电连接；

表面釉层，所述表面釉层环绕所述基体的外表面设置，且不覆盖所述接触电极。

2.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，分别独立地包括多个所述第一开孔和多个所述第二开孔。

3.根据权利要求2所述的加热片，其特征在于，所述第一开孔和所述第二开孔的数量一致且在竖直方向上位置一一对应。

4.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述表面釉层与所述接触电极、所述上基板层、所述上绝缘层、所述引线电极、所述加热电极、所述下绝缘层、所述下基板层的厚度比为10-75：5-34：100-400：6-82：5-34：5-34：6-82：100-400。

5.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述接触电极、所述引线电极、所述加热电极的材质分别独立的为选自Pt、Mo/Mn、Ni、Pt/Pd、Ag/Pd中的至少之一；

优选的，所述接触电极为方阻为0-20mΩ/□的第一铂金；

优选的，所述引线电极为方阻为0-30mΩ/□的第二铂金；

优选的，所述加热电极为方阻为10-150mΩ/□的第三铂金；

任选的，所述接触电极与所述引线电极、所述加热电极的表面积比为1-1.5：1-3：2-5。

6.根据权利要求1或4所述的加热片，其特征在于，所述表面釉层的厚度为10-75μm；

任选的，所述上基板层和所述下基板层的厚度分别独立的为100-400μm；

任选的，所述上绝缘层和所述下绝缘层的厚度分别独立的为6-82μm。

7.根据权利要求1所述的加热片，其特征在于，所述接触电极、所述引线电极和所述加热电极的厚度分别独立的为5-34μm；

任选的，所述引线电极和所述加热电极的厚度相当。

8.一种制备权利要求1-7中任一项所述的加热片的方法，其特征在于，包括：

在下基板层表面形成下绝缘层；

沿着所述下绝缘层的长度方向，依次在所述下绝缘层表面形成相连的引线电极和加热电极，得到第一基体；

在上基板层上形成第二开孔，并在所述上基板层表面形成上绝缘层，在所述上绝缘层上形成第一开孔；

在所述上基板层上远离所述上绝缘层上的表面上形成接触电极，得到第二基体；

将所述第一基体与所述第二基体接触放置，依次经等静压、切割和共烧后得到第三基体，所述第三基体的所述接触电极依次通过所述第二开孔和所述第一开孔与所述引线电极相连；

在所述第三基体的除开所述接触电极的外表面形成表面釉层，经热处理和焊线后得到加热片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述上基板层和所述下基板层的材质分别独立的为选自氧化钇含量2-4wt％的YSZ、ZTA和氧化铝含量为2-20wt％的YSZ中的至少之一；

任选的，所述上绝缘层和所述下绝缘层的材质为氧化铝；

任选的，所述接触电极、所述引线电极和所述加热电极的材质为铂金；

任选的，所述表面釉层的材质为高温玻璃浆；

任选的，所述等静压的压力为25-200MPa，时间为10-120min；

任选的，所述高温共烧的温度为1350-1550摄氏度，时间为30-240min。

10.一种电子烟，其其特征在于，所述电子烟中含有权利要求1-7中任一项所述的加热片或采用权利要求8-9中任一项所述的制备加热片的方法制备得到的所述加热片。