[发明专利]倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底(1)；

N型半导体层(2)，设置于所述衬底(1)表面，所述N型半导体层(2)远离所述衬底(1)的部分表面依次设置有发光层(8)、P型半导体层(3)和P极金属层(4)；

所述N型半导体层(2)的边缘与所述P型半导体层(3)的边缘包围形成N型半导体台阶(9)；

绝缘层(5)，设置于所述N型半导体台阶(9)的边缘和所述P极金属层(4)的边缘，且所述绝缘层(5)将所述P极金属层(4)边缘、所述P型半导体层(3)边缘和所述发光层(8)边缘覆盖，并露出所述N型半导体台阶(9)中间部分和所述P极金属层(4)中间部分；

N型金属电极层(7)，设置于所述N型半导体台阶(9)，且所述N型金属电极层(7)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘，用以实现与所述N型半导体层(2)的电连接；

P型金属电极层(6)，设置于所述P极金属层(4)，用以实现与所述P型半导体层(3)的电连接。

2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)将所述N型半导体台阶(9)远离所述P极金属层(4)的边缘的所述绝缘层(5)覆盖。

3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)包围形成回字形结构，且所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)之间设置有所述绝缘层(5)。

4.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)包括：

多个N型子电极层(710)，多个所述子电极层(710)间隔设置于所述N型半导体台阶(9)，且多个所述子电极层(710)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘。

5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型金属电极层(6)包括：

多个P型子电极层(610)，多个所述P型子电极层(610)间隔设置于所述P极金属层(4)。

6.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型金属电极层(6)为十字形结构、三角形结构或圆形结构等。

7.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘层(5)包括二氧化硅层与氮化硅层，且所述二氧化硅层与所述氮化硅层的比例为1:2～4:1。

8.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P极金属层(4)包括高反射率金属层(410)和惰性金属层(420)，所述高反射率金属层(410)设置于所述P型半导体层3远离所述发光层8的表面，所述惰性金属层(420)设置于所述高反射率金属层(410)远离所述P型半导体层3的表面。

9.一种倒装发光二极管芯片制作方法，其特征在于，包括：

提供晶圆(10)，具有依次设置的衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(8)以及P型半导体层(3)；

提供P极金属层图形，并根据所述P极金属层图形获得第一光刻胶图层(20)，根据所述第一光刻胶图层(20)在所述P型半导体层(3)远离所述发光层(8)的表面制备P极金属层(4)；

提供N型半导体台阶图形，根据所述N型半导体台阶图形获得第二光刻胶图层(30)将所述P极金属层(4)覆盖，并根据所述第二光刻胶图层(30)在所述P型半导体层(3)远离所述发光层(8)的表面进行刻蚀，至所述N型半导体层(2)，形成N型半导体台阶(9)；

提供绝缘层图形，根据所述绝缘层图形获得第三光刻胶图层(40)，并根据所述第三光刻胶图层(40)在设置有所述制备P极金属层(4)的所述晶圆(10)表面制备绝缘层(5)，且露出所述P极金属层(4)和所述N型半导体台阶(9)；

提供电极层图形，根据所述电极层图形获得第四光刻胶图层(50)，并根据所述第四光刻胶图层(50)在所述P极金属层(4)和所述N型半导体台阶(9)表面制备P型金属电极层(6)和N型金属电极层(7)。

10.如权利要求9所述的倒装发光二极管芯片制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶图层(20)为回字形图形，用以将光刻胶旋涂于所述P型半导体层(3)的四周边缘位置，使得在所述P型半导体层(3)中间位置制备所述P极金属层(4)。