[发明专利]内衬、反应腔室和半导体加工设备

权利要求书

1.一种内衬，包括内衬本体,其特征在于，所述内衬本体包括沿其轴向设置的上本体和下本体，并且所述上本体的下端面和下本体的上端面之间具有缝隙，所述上本体的上端设置有上接地结构，所述上接地结构与反应腔室的腔室壁电导通，所述下本体的下端设置有下接地结构，所述下接地结构与基座电导通。

2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，所述下接地结构包括与所述下本体连接的接地件，所述接地件包括与所述基座的外表面相贴合的贴合面。

3.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述基座的外表面与所述接地件的贴合面相贴合的区域上，和/或所述接地件的所述贴合面上，设置有导电层。

4.根据权利要求2所述的内衬，其特征在于，所述接地件为沿所述下本体的周向环绕设置的闭合环体；或者，所述接地件包括沿所述下本体的周向环绕且间隔设置的多个子接地件。

5.根据权利要求4所述的内衬，其特征在于，所述闭合环体为所述下本体的下部的内侧端向下延伸后向外侧翻折形成的环状翻边结构。

6.根据权利要求4所述的内衬，其特征在于，所述多个子接地件为所述下本体的下部的内侧端上的多个不相邻的区域向下延伸后向外侧翻折形成的多个独立的翻边结构。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的内衬，其特征在于，所述缝隙为能够阻挡等离子体通过的迷宫式通道。

8.根据权利要求7所述的内衬，其特征在于，所述迷宫式通道的横截面形状包括斜线形、折线形、波浪线形和弧线形中的一种或多种的组合；其中，所述斜线形的迷宫式通道在所述内衬本体轴向上的高度由内而外逐渐增大。

9.根据权利要求8所述的内衬，其特征在于，所述迷宫式通道的横截面形状为斜线形，所述斜线形的迷宫式通道的延伸方向与所述内衬本体的轴向之间的夹角的取值范围在20°-35°。

10.根据权利要求7所述的内衬，其特征在于，所述迷宫式通道的横截面的宽度的取值范围在0.5mm-1mm。

11.根据权利要求1-6任意一项所述的内衬，其特征在于，所述上接地结构包括相对于所述上本体的外周壁凸出的凸台，所述凸台叠置在所述反应腔室的腔室壁的上端面及设置在所述凸台的下端面与所述反应腔室的腔室壁的上端面之间的诱导线圈上。

12.一种反应腔室，在所述反应腔室内设置有基座和内衬，其特征在于，所述内衬采用权利要求1-11任意一项所述的内衬。

13.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求12所述的反应腔室。