[发明专利]双面显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201910469452.7 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110265437A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 曾维静 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面显示面板 顶发射 制备 主动矩阵有机发光二极管 有机发光二极管 双面显示功能 顶发射结构 被动矩阵 超薄显示 高分辨率 驱动结构 显示功能 显示装置 倒置 发射 膜层 | ||
本发明披露一种双面显示面板及其制备方法。所述双面显示面板是在单个TFT基板上,形成底发射及顶发射两种结构的OLED器件,结合主动矩阵有机发光二极管以及被动矩阵有机发光二极管两种不同驱动结构的OLED显示方式,使OLED显示器实现双面显示功能,其一侧具有高分辨率功能,另一侧具有基本显示显示功能。另外,由于位于所述双面显示面板的顶发射结构侧,采用倒置OLED器件结构,从而能够有效降低该侧显示的IR Drop。再者,所述双面显示面板利用顶发射及底发射的OLED器件结构,且OLED器件各膜层厚度较小,使得所述双面显示面板不会增加其面板厚度,以实现超薄显示。
技术领域
本发明涉及OLED显示技术领域,尤其涉及一种双面显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性,因此受到广泛的关注,并作为新一代的显示方式,已开始逐渐取代传统LCD(液晶显示器,Liquid Crystal Display),被广泛应用在手机屏幕、电脑显示器、全彩电视等。OLED根据发光特点,可以分为顶发射型和底发射型,且OLED具有轻薄的特点。如何最大限度发挥OLED特点,使OLED产品更具吸引力是目前OLED业者所思考的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种双面显示面板及其制备方法。所述双面显示面板是在单个TFT基板上,形成底发射及顶发射两种结构的OLED器件,结合主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,简称AMOLED)以及被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix organic light emitting diode,简称PMOLED)两种不同驱动结构的OLED显示方式,使OLED显示器实现双面显示功能,其一侧具有高分辨率功能,另一侧具有基本显示显示功能。另外,由于位于所述双面显示面板的顶发射结构侧,采用倒置OLED器件结构,从而能够有效降低该侧显示的IR Drop。再者,所述双面显示面板利用顶发射及底发射的OLED器件结构,且OLED器件各膜层厚度较小,使得所述双面显示面板不会增加其面板厚度,以实现超薄显示。
根据本发明的一方面,本发明提供了一种双面显示面板,其包括:一衬底基板;一薄膜晶体管阵列,所述薄膜晶体管阵列设置在所述衬底基板上;一第一阳极,所述第一阳极设置在所述薄膜晶体管阵列上;一第一有机层,所述第一有机层设置在所述第一阳极上;一第一阴极,所述第一阴极设置在所述第一有机层上;一层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述第一阴极上;一第二阴极,所述第二阴极设置在所述层间绝缘层,且所述第二阴极呈条状;一第二有机层,所述第二有机层设置在所述第二阴极上;一第二阳极,所述第二阳极设置在所述第二有机层上,且所述第二阳极呈条状,所述第二阳极在所述第二阴极上的投影为垂直于所述第二阴极。
在本发明的一实施例中,所述双面显示面板还包括:一封装结构,所述封装结构设置在所述第二阳极上。
在本发明的一实施例中,所述双面显示面板还包括:一像素定义层,所述像素定义层设置在所述第二阴极和所述第二有机层之间。
在本发明的一实施例中,所述第一阴极和所述第二阴极均由非透光的金属材料制成。
在本发明的一实施例中,所述第一阳极和所述第二阳极均由透光材料制成。
在本发明的一实施例中,所述封装结构为无机/有机层叠的薄膜封装结构,或玻璃/玻璃的封装结构。
在本发明的一实施例中,所述衬底基板为柔性基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的