[发明专利]单元素多层红外高反膜及其制备方法

权利要求书

1.一种单元素多层红外高反膜，其特征在于，由基底和石墨靶材镀制的多层DLC膜构成，膜系的基本结构为：S/(HL)^xH/A，其中S为Si基底，H为高折射率的DLC膜，L为低折射率的DLC膜，x为H和L重复镀制的周期数，A为空气。

2.如权利要求1所述的单元素多层红外高反膜，其特征在于，所述膜系中，x=10~15，x为自然数，其数值越大，对应中心波长处的反射率越高。

3.如权利要求2所述的单元素多层红外高反膜，其特征在于，所述膜系中，每层膜均是由碳元素组成的。

4.如权利要求1所述的单元素多层红外高反膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）镀前预处理，采用离子束对基片进行清洗和活化处理，所述基片为Si基底材料；

（2）膜层镀制，根据设计的膜层厚度，所述高折射率的DLC膜和低折射率的DLC膜分别采用脉冲电弧和非平衡磁控溅射进行薄膜制备；

（3）后续处理，在真空状态，进行退火处理。

5.如权利要求4所述的单元素多层红外高反膜的制备方法，其特征在于，

所述步骤（1）中，当工作室真空度达2×10^-3Pa时，打开清洗离子源和氩气对基片表面进行清洗，具体的清洗参数为：工作真空度2×10^-1Pa，离子束流50 mA，离子能量1500eV。

6.如权利要求4或5所述的单元素多层红外高反膜的制备方法，其特征在于，

所述步骤（2）中，所述脉冲电弧技术工艺参数为：偏压-205V、起弧电压420V，脉冲频率2Hz，工作真空度4×10^-3Pa；所述非平衡磁控溅射工艺参数为：励磁电流150A，偏压-90V，靶电流0.6A、氩气流量85sccm，工作真空度1.3Pa。

7.如权利要求6所述的单元素多层红外高反膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，退火温度为240℃，保温时间3h。

8.如权利要求7所述的单元素多层红外高反膜的制备方法，其特征在于，所述高折射率的DLC膜和低折射率的DLC膜在一个真空室内镀制完成。