[发明专利]一种硅片清洗方法和清洗装置

权利要求书

1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；

取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗；

其中，向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，每个所述冲洗槽的底部分别设有进入口，向每个所述冲洗槽供应冲洗液包括：

从每个所述冲洗槽的底部的进入口向相应的所述冲洗槽供应清洗液。

3.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，还包括：

收集每个冲洗槽溢流出的清洗液并通过输送泵供应至对应的下一个冲洗槽中。

4.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗包括：

将硅片置于带有开口的容器中，将所述容器置于浸水槽内清洗，所述浸水槽内的超纯水从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片；

取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗，包括：将所述硅片置于带有开口的所述容器中，将所述容器置于冲洗槽内清洗，所述冲洗槽内的清洗液从所述开口进入所述容器与所述硅片接触以清洗所述硅片。

5.根据权利要求4所述的硅片清洗方法，其特征在于，所述容器置于所述冲洗槽中时，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。

6.一种清洗装置，其特征在于，包括：

浸水槽，用于盛装超纯水；

N(N≥1)个冲洗槽；

供应机构，用于向第1冲洗槽中供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N-1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；

清洗机构，用于将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N-1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗。

7.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还包括多个收集器，每个所述冲洗槽对应设置一个所述收集器，用以收集对应的冲洗槽溢流出的清洗液；

多个输送泵，每个所述收集器分别对应设有一个所述输送泵，用于将每个收集器收集的清洗液供应至对应的下一个冲洗槽中。

8.根据权利要求7所述的清洗装置，其特征在于，每个所述冲洗槽的底部设有进入口，每个所述冲洗槽的进入口分别与相应的所述输送泵的出口连通，以使所述输送泵通过所述进入口向相应的冲洗槽中供应清洗液。

9.根据权利要求6所述的清洗装置，其特征在于，还包括带有开口的容器，用于盛装待清洗的硅片，所述容器置于冲洗槽中时所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成有间隙。

10.根据权利要求9所述的清洗装置，其特征在于，所述容器的外侧壁与所述冲洗槽的内侧壁之间形成的间隙距离小于等于5mm。